[发明专利]内置智能芯片的高压继电器

权利要求书

1.内置智能芯片的高压继电器，包括外壳、继电器主体和智能芯片，其特征在于：所述继电器主体位于所述外壳内部，所述外壳的外侧设有智能芯片放置腔，所述智能芯片设于所述智能芯片放置腔内；

所述继电器主体包括静触头、灭弧室和线圈，所述静触头与所述灭弧室之间为密封连接，所述静触头的顶部位于所述灭弧室外部，底部位于所述灭弧室内部；

所述线圈固定设于所述灭弧室的下方，所述线圈的内部设有导磁筒，所述导磁筒与所述灭弧室之间密封连接；在所述导磁筒的内部设有推动杆，所述推动杆的外侧壁上依次套接有静铁芯和动铁芯，所述静铁芯与所述灭弧室之间固定连接，所述动铁芯与所述推动杆之间固定连接，所述推动杆的底部位于所述导磁筒内，顶部位于所述灭弧室内，在所述推动杆的顶部设有动簧片，所述动簧片位于所述静触头的正下方，形成动触头；

所述智能芯片与所述线圈之间电气连接；所述智能芯片和所述继电器本体分别电气连接外部控制电路。

2.如权利要求1所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述继电器包括陶瓷罩和基座，所述陶瓷罩与所述基座之间密封连接，所述陶瓷罩和所述基座之间形成的腔室为灭弧室；所述静触头贯穿于所述陶瓷罩的顶部，所述静触头与所述陶瓷罩之间为密封连接，所述基座位于所述静触头的下方。

3.如权利要求2所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述静铁芯与所述基座的下表面之间固定连接，与所述推动杆之间不相连；所述动铁芯与所述推动杆的外侧壁之间固定连接。

4.如权利要求2所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：在所述基座的中心位置处开设有第一通孔，所述推动杆的顶部穿过所述第一通孔延伸至所述灭弧室的内部。

5.如权利要求4所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述导磁筒为顶部开口结构，所述导磁筒的顶部外侧一体成型设有外折边，所述外折边固定安装在所述基座的底部，且所述外折边位于所述第一通孔的外部，所述外折边与所述基座的底部之间为密封连接。

6.如权利要求2所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述基座的下部设有线圈架，所述线圈架固定安装在所述基座的底部外侧边缘处，所述线圈设于所述线圈架内，所述线圈包括线圈轴和缠绕在线圈轴上的导线，所述导磁筒设于所述线圈轴的内部。

7.如权利要求6所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述导磁筒的底部与所述线圈架的底部齐平。

8.如权利要求1所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述灭弧室内填充于灭弧气体，所述灭弧气体为氮气、氩气、氦气或氢气。

9.如权利要求1所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述静触头和动簧片的材质为无氧铜。

10.如权利要求1所述的内置智能芯片的高压继电器，其特征在于：所述外壳的外侧设有安装基座，所述安装基座上预留有安装孔。