[发明专利]一种去除装置及去除方法在审
申请号: | 202210407480.8 | 申请日: | 2022-04-08 |
公开(公告)号: | CN114931777A | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 藤岛昭;益田秀树;细田和夫 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | B01D29/03 | 分类号: | B01D29/03;B01D29/62;B01D46/10;B01D46/82;B01D61/00;C02F1/44;A61L2/02;A61L9/16;B01D29/00 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去除 装置 方法 | ||
1.一种去除装置,其特征在于:
配有气体或液体流经的流道,
置于该流道中的多孔薄膜,
该薄膜由金属氧化物制成,
所述多孔薄膜的孔的平均孔径在5nm以上且1000nm以下,孔径分布的相对标准偏差在10%以下。
2.如权利要求1所述的去除装置,其特征在于,能够去除气体或液体中的细菌病毒。
3.如权利要求1或权利要求2所述的去除装置,其特征在于,所述孔径分布的相对标准偏差在5%以下。
4.如权利要求3所述的去除装置,其特征在于,所述孔径分布的相对标准偏差在2%以下。
5.权利要求1~4中任一项所述的去除装置,其特征在于,所述多孔薄膜的孔隙率在20%以上且40%以下。
6.权利要求1~5中任一项所述的去除装置,其特征在于,所述孔垂直形成于所述多孔薄膜的表面方向。
7.权利要求1~6中任一项所述的去除装置,其特征在于,所述孔口的形状为圆形。
8.权利要求1~7中任一项所述的去除装置,其特征在于,所述金属氧化物为氧化铝。
9.权利要求1~8中任一项所述的去除装置,其特征在于,所述多孔薄膜的厚度在10μm以上且200μm以下。
10.权利要求1~9中任一项所述的去除装置,其特征在于,所述多孔薄膜具有光催化层。
11.如权利要求10所述的去除装置,其特征在于,所述光催化层形成于所述多孔薄膜一侧的表面,该光催化层形成的表面位于所述流道中的上游处。
12.权利要求10或权利要求11中所述的去除装置,其特征在于:
所述光催化层配有照射光线的照射器,
所述照射器配置于所述流道中、所述多孔薄膜的上游处,或所述流道外、所述多孔薄膜的侧面。
13.权利要求1~12中任一项所述的去除装置,其特征在于,在所述流道中、所述多孔薄膜上游处,配有平均孔径大于所述多孔薄膜的预过滤器。
14.权利要求1~13中任一项所述的去除装置,其特征在于:
配有平均孔径大于薄膜的支撑器,
所述支撑器位于所述多孔薄膜的下游处,与所述多孔薄膜接触连接。
15.权利要求1~14中任一项所述的去除装置,其特征在于:
配有调整所述流道中的气体或液体的压力的压力调节器,
所述压力调节器在所述多孔薄膜上游处施加压力,或在所述多孔薄膜下游处降低压力。
16.一种在气体或液体流经的流道中配置多孔薄膜、让气体或液体通过的去除方法,其特征在于:
所述多孔薄膜由金属氧化物制成,
所述多孔薄膜的孔的平均孔径在5nm以上且1000nm以下,孔径分布的相对标准偏差在10%以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海理工大学,未经上海理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210407480.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。