[发明专利]一种5G陶瓷滤波器材料、其低温烧结方法及应用

权利要求书

1.一种5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

S1、根据陶瓷材料的化学计量比进行原料的配料；

S2、将所述原料混合后进行高能球磨处理，得到陶瓷粉体；

所述高能球磨为采用碳化钨磨罐及磨球的干磨工艺，所述的磨球是4-6毫米直径的磨球、8-10毫米直径的磨球中的一种或两种组合，球料重量比为20∶1～80∶1；

S3、将步骤S2得到的陶瓷粉体干压成型，制成圆片，在1000～1300℃的温度下烧结，保温时间为1～12h，得到产品。

2.根据权利要求1所述的5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于：所述陶瓷材料的化学通式为：(1-x)MgTiO₃-xCaTiO₃，其中，x＝0.005-0.10；所述陶瓷材料还包括Bi₂O₃、CuO、MnO₂、CoO等微量掺杂成分中的一种或几种，以(1-x)MgTiO_3-xCaTiO₃的重量计为100％，各种掺杂成分总量重量百分比不超过3％。

3.根据权利要求1所述的5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于：所述磨球为碳化钨磨球，所述烧结温度为1053～1121℃。

4.根据权利要求1所述的5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于：步骤S2中所述高能球磨的转速为150～250rpm，球磨时间为4-24小时。

5.根据权利要求1所述的5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于：步骤S3中陶瓷粉体的干压成型，是在添加适当PVA粘结剂的情况下，20±2MPa压力下进行干压成型，得到的生坯直径10±0.1毫米，厚度1±0.02毫米。

6.根据权利要求1所述的5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于：步骤S3中的烧结，控制升温速率为1～20℃/min，降温速率10℃/min至600℃后再随炉降温至室温。

7.根据权利要求1所述的5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于：所述的磨球是由5毫米和10毫米直径的碳化钨磨球以重量比为1∶1的组合组成。

8.根据权利要求1所述的5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，其特征在于：所述陶瓷材料为Mg_0.95Ca_0.05TiO₃，以Mg_0.95Ca_0.05TiO₃的重量计为100％，微量掺杂0.5％Bi₂O₃、0.5％CuO、0.6％MnO₂。

9.一种权利要求1所述的低温烧结方法制得的5G陶瓷滤波器材料。

10.一种权利要求1至9所述的5G陶瓷滤波器材料作为5G通讯基站中滤波器件的应用。