[发明专利]一种三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210405916.X | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114703500B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 熊贤强;梅优阳;蔡小龙;褚雨潇;武承林;韩得满;张晓 | 申请（专利权）人： | 台州学院;台州市生物医化产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C25B11/067 | 分类号： | C25B11/067;C25B11/091;C25B1/04;C25B1/55 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 申素霞 |
| 地址： | 318000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 钒酸铋 有机酸 复合 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极，包括基底、负载在所述基底表面的WO3-BiVO4复合膜以及修饰在所述WO3-BiVO4复合膜表面的有机酸；所述WO3-BiVO4复合膜包括WO3膜以及生长在所述WO3膜表面的BiVO4纳米颗粒，所述WO3膜由WO3纳米板形成，所述WO3纳米板垂直生长在所述基底的表面，所述BiVO4纳米颗粒上修饰有所述有机酸；所述有机酸为2,5-二羟基对苯二甲酸、均苯三甲酸和2-氨基对苯二甲酸中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极，其特征在于，所述WO3-BiVO4复合薄膜的厚度为1～100μm，所述WO3膜的厚度为0.5～10μm
3.根据权利要求1所述的三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极，其特征在于，所述WO3纳米板的长为400～1500nm，宽为400～1500nm，高为50～200nm；所述BiVO4纳米颗粒的粒径为100～200nm。
4.权利要求1～3任一项所述三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极的制备方法，包括以下步骤：
提供WO3-BiVO4复合光电极，所述WO3-BiVO4复合光电极包括基底以及负载在所述基底表面的WO3-BiVO4复合膜；
将所述WO3-BiVO4复合光电极浸没于有机酸溶液中进行水热反应，得到WO3-BiVO4-有机酸复合光电极。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述有机酸溶液中有机酸的浓度为10～200mmol/L。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述有机酸溶液中溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、甲醇与水，所述N,N-二甲基甲酰胺、甲醇与水的体积比为(10～50)：(0.5～1.5)：1。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为100～140℃，时间为3～10h。
8.权利要求1～3任一项所述三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极或权利要求4～7任一项所述制备方法制备得到的三氧化钨-钒酸铋-有机酸复合光电极在光电催化水氧化反应中的应用。
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