[发明专利]一种Al-Ti-C-N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用有效
| 申请号： | 202210404249.3 | 申请日： | 2022-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN114606461B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 赵愈亮;宋东福;乡家发;卢剑玉;贾义旺;孙振忠;黄石平 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院;肇庆南都再生铝业有限公司;广东省科学院新材料研究所 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/06;C23C14/32;C22C21/00 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 刘艳玲 |
| 地址： | 523808 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 al ti 纳米 制备 方法 铝合金 中的 应用 | ||
1.一种Al-Ti-C-N纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)衬底材料的安装：将衬底材料安装夹具上，并放置在真空镀膜室中；
(2)预处理：依次开启抽真空系统、加热系统和机械传动系统，真空室抽真空并升温，随后充入高纯氩气，开启脉冲偏压，放电清洗；
(3)多弧离子镀：充入反应气体，设置靶材，打开弧源，设置参数后进行镀膜，得到Al-Ti-C-N纳米晶；
所述步骤(3)中，靶材是纯度为95.0％以上的纯钛靶、钛铝靶中的至少一种；
所述步骤(3)中，反应气体为C2H2和N2的混合气体，C2H2和N2的体积比为10:0.1；
所述步骤(3)中，衬底为泡沫铝、铝箔卷中的一种或两种；
所述Al-Ti-C-N纳米晶用于铝合金材料的晶粒细化剂；
所述步骤(2)中，真空室的气压抽至1～5×10-3Pa，真空室的温度为100～200℃；充入高纯氩气后调整氩气压力至1～5Pa；
所述步骤(2)中，开启脉冲偏压后，调整占空比为10～30％，偏压为-600～-1500V，放电清洗1～3min；
所述步骤(3)中，充入反应气体前，调整氩气压力至1～3×10-1Pa；充入反应气体后，调整气压至5～9×10-1Pa；
所述步骤(3)中，脉冲偏压设置偏压占空比为30～60％，偏压-600～-2000V，电弧电流为60～120A，镀膜时间15～120min；
所述步骤(3)中，多弧离子镀过程中，铝箔的两端固定在不同的转动轴上，并以沿着夹具半径自转，实现铝箔的卷镀；
所述Al-Ti-C-N纳米晶应用于铝合金材料中。
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