[发明专利]一种二维材料二硫化钼/硫化镍/碳范德华异质结自支撑电极的制备方法

权利要求书

1.一种MoS₂/NiS_x/C范德华异质结自支撑电极的制备方法，包括如下步骤：

1）将钼酸铵和多元醇混合制成低共熔溶剂；

步骤1）中，所述多元醇为甘油或乙二醇；

步骤1）中，所述钼酸铵和所述多元醇的摩尔比为1：（32~36）；

步骤1）中，所述混合在30~100℃下进行；

2）将所述低共熔溶剂涂覆到泡沫镍上后转移至马弗炉中，在加热上游区放置升华硫，在惰性气氛下进行焙烧，得到所述二维材料MoS₂/NiS_x/C范德华异质结自支撑电极；

步骤2）中，所述焙烧的程序如下：以1~10^oC/min升温至300~700 ^oC，保温0.5~12 h。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2）中，每1 cm²工作面积的所述泡沫镍上涂覆100 μL所述低共熔溶剂。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2）中，所述低共熔溶剂与所述升华硫的比例为100 μL：0.5 g。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法制备得到的MoS₂/NiS_x/C范德华异质结自支撑电极。

5.根据权利要求4所述的MoS₂/NiS_x/C范德华异质结自支撑电极，其特征在于：所述MoS₂/NiS_x/C范德华异质结自支撑电极的形貌为纳米片。

6.权利要求4或5所述的MoS₂/NiS_x/C范德华异质结自支撑电极在电催化分解水制氢中的应用。