[发明专利]一种检测键合偏移量的结构和方法

说明书

本发明属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种检测键合偏移量的结构，包括：上盖晶圆片，所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域；下盖晶圆片，所述下盖晶圆片的中央形成有与所述上预留区域相对设置的下预留区域，所述下预留区域上形成有刻度尺；所述上盖晶圆片键合在所述下盖晶圆片上。本发明通过在上盖晶圆片上提前制备一个“窗口”，在下盖晶圆片的相应位置上形成一个“刻度尺”，上盖晶圆片与下盖晶圆片键合完成之后对上盖晶圆片进行打磨，将“窗口”漏出，在显微镜下即能够测出键合偏的移量。与现有技术相比，本发明简化流程，低成本精准测量键合偏移量。

技术领域

本发明属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种检测键合偏移量的结构和方法。

背景技术

近年来，随着半导体工艺的不断进步，各种新的工艺不断被研发出来，目前，对器件的制造已经不满足于仅在单一的硅片上形成，多个硅片结合在一起这种立体模式已经获得认可。

对于此模式的生产过程，常用的是硅-硅直接键合和硅-玻璃静电键合技术，最近又发展了多种新的键合技术，例如金属-金属键合技术。

目前，对于金属与金属键合，键合偏移是业界普遍存在的问题。现有技术中检测键合是否偏移，通常借助红外或超声波设备，这些购置设备成本高；外寄至专门检测中心则时间成本较高。

因此，如何在低成本情况下获悉键合情况是一个难题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种检测键合偏移量的结构，以解决现有技术中获悉键合情况成本较高的问题。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种检测键合偏移量的结构，包括：

上盖晶圆片，所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域；

下盖晶圆片，所述下盖晶圆片的中央形成有与上预留区域相对设置的下预留区域，所述下预留区域上形成有刻度尺；

所述上盖晶圆片键合在所述下盖晶圆片上。

进一步地，所述上预留区域和所述下预留区域的形状、尺寸相同。

更进一步地，所述上预留区域和所述下预留区域均为2mm*4mm的矩形。

进一步地，所述刻度尺的刻蚀深度为300nm～500nm，确保在显微镜下能够识别。

进一步地，所述上预留区域的形成步骤包括：先通过依次匀胶、光刻、显影，制备上预留区域的形状，再采用干法或湿法的方式将所述上预留区域刻蚀至工艺深度。

更进一步地，所述工艺深度根据产品是否须要减薄不同：

-若须要减薄，则确保减薄之后能够将所述上预留区域打开；

-若不须要减薄，则采用深硅刻蚀法将所述上预留区域的上盖晶圆片刻穿。

进一步地，所述下预留区域的形成步骤包括：先通过依次匀胶、光刻、显影，制备下预留区域的形状，再采用干法的方式将所述下预留区域刻蚀至300nm～500nm。

进一步地，所述刻度尺的相邻两个刻度之间的间距为1μm～5μm。

基于一个总的发明构思，本发明另一个目的在于提供上述结构用于检测键合偏移量的方法，包括：

提供上盖晶圆片和下盖晶圆片，其中，所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域；所述下盖晶圆片的中央形成有与上预留区域相对设置的下预留区域，所述下预留区域上形成有刻度尺，所述上盖晶圆片键合在下盖晶圆片上；

-若产品须要减薄，则先进行减薄，再在显微镜下测量键合偏移量；

-若产品不须要减薄，则键合完成之后，直接在显微镜下测量键合偏移量；