[发明专利]一种检测键合偏移量的结构和方法

权利要求书

1.一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，包括：

上盖晶圆片，所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域；

下盖晶圆片，所述下盖晶圆片的中央形成有与所述上预留区域相对设置的下预留区域，所述下预留区域上形成有刻度尺；

所述上盖晶圆片键合在所述下盖晶圆片上。

2.根据权利要求1所述的一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，所述上预留区域和所述下预留区域的形状、尺寸相同。

3.根据权利要求2所述的一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，所述上预留区域和所述下预留区域均为2mm*4mm的矩形。

4.根据权利要求1所述的一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，所述刻度尺的刻蚀深度为300nm～500nm，确保在显微镜下能够识别。

5.根据权利要求1所述的一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，所述上预留区域的形成步骤包括：先通过依次匀胶、光刻、显影，制备上预留区域的形状，再采用干法或湿法的方式将所述上预留区域刻蚀至工艺深度。

6.根据权利要求5所述的一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，所述工艺深度根据产品是否须要减薄不同：

-若须要减薄，则确保减薄之后能够将所述上预留区域打开；

-若不须要减薄，则采用深硅刻蚀法将所述上预留区域的上盖晶圆片刻穿。

7.根据权利要求1所述的一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，所述下预留区域的形成步骤包括：先通过依次匀胶、光刻、显影，制备下预留区域的形状，再采用干法的方式将所述下预留区域刻蚀至300nm～500nm。

8.根据权利要求1所述的一种检测键合偏移量的结构，其特征在于，所述刻度尺的相邻两个刻度之间的间距为1μm～5μm。

9.一种通过权利要求1～8中任一项所述结构检测键合偏移量的方法，其特征在于，包括：

提供上盖晶圆片和下盖晶圆片，其中，所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域；所述下盖晶圆片的中央形成有与上预留区域相对设置的下预留区域，所述下预留区域上形成有刻度尺，所述上盖晶圆片键合在所述下盖晶圆片上，在显微镜下测量键合偏移量。

10.根据权利要求9所述的一种检测键合偏移量的方法，其特征在于，

-若产品须要减薄，则先进行减薄，再在显微镜下测量键合偏移量；

-若产品不须要减薄，则键合完成之后，直接在显微镜下测量键合偏移量。