[发明专利]一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法有效

专利信息
申请号: 202210392271.0 申请日: 2022-04-15
公开(公告)号: CN114467760B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 徐迎春;赵莹;姜慧;杨志娟;金奇江;王彦杰;周平 申请(专利权)人: 三亚南京农业大学研究院;南京农业大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 吴爽;徐冬涛
地址: 572025 海南省三亚市崖*** 国省代码: 海南;46
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摘要:
搜索关键词: 一种 睡莲 成熟 胚愈伤 组织 诱导 增殖 方法
【权利要求书】:

1.一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)成熟胚预处理:取睡莲成熟胚置于流水下冲洗干净,再在多菌灵溶液中消毒后用蒸馏水冲洗至无多菌灵残余;

(2)诱导培养基准备:准备愈伤组织诱导培养基;

(3)成熟胚的消毒处理:

(a)将没有多菌灵残余的成熟胚装在离心管中,转移到超净工作台中;

(b)在超净工作台中对成熟胚进行消毒灭菌,先使用75%酒精消毒处理1±0.1min,消毒后用无菌水冲洗至无酒精残余,接着用10%次氯酸钠消毒10±0.5min,消毒后用无菌水冲洗至无次氯酸钠残余,处理后的成熟胚晾干;

(c)将成熟胚坚硬种皮剥掉,取出成熟胚置于离心管中;

(d)在超净工作台中,将去种皮成熟胚先用75%酒精消毒30±3s,消毒后用无菌水冲洗至无酒精残余,接着用3%次氯酸钠消毒3±0.3min,消毒后用无菌水冲洗至无次氯酸钠残余,将处理后的去种皮成熟胚晾干后接入愈伤组织诱导培养基中,置于26±1℃条件下黑暗培养20-30天;

(4)准备愈伤继代培养基,其成分同步骤(2),将成熟胚从诱导培养基中转接入继代培养基,直到形成颗粒明显的愈伤组织;

(5)准备愈伤增殖培养基;

(6)增殖培养:待步骤(4)的愈伤组织直径长到4~8mm时,将其转移至愈伤增殖培养基中去,继续黑暗培养,从而获得大量胚性愈伤组织;

其中,所述睡莲为耐寒睡莲。

2.如权利要求1所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,所述步骤(1)中,选择饱满健康的睡莲成熟胚,将流水冲洗后的睡莲成熟胚放在10g/L多菌灵溶液中常温涡旋振荡消毒20±5min,用蒸馏水冲洗至多菌灵无残余。

3.如权利要求1或2所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,所述步骤(2)中,愈伤组织诱导培养基经配制得到,所述愈伤组织诱导培养基成分为:1/2MS+ 1.5~2.5 mg/L 2,4-D + 0.2~0.5 mg/L TDZ + 50g/L蔗糖 + 8g/L琼脂。

4.如权利要求3所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,愈伤组织诱导培养基配制时,称取1/2MS培养基、琼脂及蔗糖于容器中,加入1L蒸馏水加热溶解,再加入生长素2,4-D 、细胞分裂素TDZ,调节pH为5.8±0.1,121℃灭菌20min。

5.如权利要求1或2所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,所述步骤(5)中,愈伤增殖培养基经配制得到,所述愈伤增殖培养基配方为MS + 2.0mg/L2,4-D + 1.0 mg/L 6-BA + 30g/L蔗糖+ 6g/L琼脂。

6.如权利要求5所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,愈伤增殖培养基配制时,称取MS培养基、琼脂及蔗糖于容器中,加入1L蒸馏水加热溶解,再加入生长素、细胞分裂素6-BA,调节pH为5.8±0.1,121℃灭菌20min。

7.如权利要求1、2、4或6任一所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,所述步骤(6)中,当颗粒明显的愈伤组织直径长至6mm时,切去成熟胚只留愈伤组织,并将其转接到愈伤增殖培养基中;每隔25天更换一次培养基,获得胚性愈伤组织。

8.如权利要求1所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,所述愈伤诱导培养和愈伤增殖培养全过程均置于黑暗条件下,其培养环境温度控制在26℃。

9.如权利要求1所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,所述步骤(b)中,先使用75%的酒精处理1min,无菌水冲洗至无酒精残余,接着用10%的次氯酸钠溶液处理10min,无菌水冲洗至无次氯酸钠残余,将处理后的成熟胚放在经高温灭菌烘干后的滤纸上晾干。

10.如权利要求1或9所述的一种睡莲成熟胚愈伤组织诱导及增殖的方法,其特征在于,所述步骤(d)中,在超净工作台中用75%酒精处理去种皮成熟胚30s,无菌水冲洗至无酒精残余,再用3%次氯酸钠处理3min,无菌水冲洗至无次氯酸钠残余,放在经高温灭菌烘干后的滤纸上晾干,接入愈伤组织诱导培养基中,置于26±1℃条件下黑暗培养20-30天。

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