[发明专利]电流产生电路、对数放大器及其对数斜率温度稳定性提升方法在审

专利信息
申请号: 202210389059.9 申请日: 2022-04-13
公开(公告)号: CN114690832A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 庞佑兵;胡波;杨帆;杨超;刘登学 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 张双凤
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 电流 产生 电路 对数放大器 及其 对数 斜率 温度 稳定性 提升 方法
【权利要求书】:

1.一种电流产生电路,其特征在于,包括:

偏置模块,产生偏置电压和反馈电压,所述反馈电压的温度系数为零;

电流产生模块,接所述偏置电压和所述反馈电压,产生N个偏置电流,所述偏置电流的温度系数为零;

其中,N为大于等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的电流产生电路,其特征在于,所述偏置模块包括分压单元、差分放大单元、尾电流源单元及跟随输出单元,所述差分放大单元与所述尾电流源单元连接,所述尾电流源单元为所述差分放大单元提供偏置电流,所述差分放大单元的第一输入端接所述分压单元,所述差分放大单元的第二输入端输出所述反馈电压,所述跟随输出单元的输入端接所述差分放大单元的输出端,所述跟随输出单元的输出端输出所述偏置电压。

3.根据权利要求2所述的电流产生电路,其特征在于,所述分压单元包括第一电阻和第二电阻,负电源经依次串接的所述第一电阻及所述第二电阻后接地;所述差分放大单元包括第一PNP三极管、第二PNP三极管、第一NPN三极管、第二NPN三极管、第三电阻及第四电阻,所述第一PNP三极管的发射极经串接的所述第三电阻后接地,所述第一PNP三极管的基极接所述第一PNP三极管的集电极,所述第一PNP三极管的集电极接所述第一NPN三极管的集电极,所述第一NPN三极管的基极接所述第一电阻与所述第二电阻的公共端,所述第一NPN三极管的发射极接所述第二NPN三极管的发射极,所述第二NPN三极管的基极输出所述反馈电压,所述第二NPN三极管的集电极接所述第二PNP三极管的集电极,所述第二PNP三极管的基极接所述第一PNP三极管的基极,所述第二PNP三极管的发射极经串接的所述第四电阻后接地。

4.根据权利要求3所述的电流产生电路,其特征在于,所述尾电流源单元包括第三NPN三极管、第四NPN三极管及第五电阻,所述第三NPN三极管的集电极经串接的所述第五电阻后接地,所述第三NPN三极管的集电极还接所述第三NPN三极管的基极,所述第三NPN三极管的发射极接所述负电源,所述第四NPN三极管的发射极接所述负电源,所述第四NPN三极管的基极接所述第三NPN三极管的基极,所述第四NPN三极管的集电极接所述第一NPN三极管的发射极;所述跟随输出单元包括第五NPN三极管及第六电阻,所述第五NPN三极管的集电极接地,所述第五NPN三极管的基极接所述第二NPN三极管的集电极,所述第五NPN三极管的发射极经串接的所述第六电阻后接所述负电源,且所述第五NPN三极管的发射极输出所述偏置电压。

5.根据权利要求4所述的电流产生电路,其特征在于,所述电流产生模块包括N个电流产生单元;第一个所述电流产生单元接所述偏置电压和所述反馈电压,第一个所述电流产生单元产生并输出第一个所述偏置电流;第i个所述电流产生单元接所述偏置电压,第i个所述电流产生单元产生并输出第i个所述偏置电流,i的取值为2~N的整数。

6.根据权利要求5所述的电流产生电路,其特征在于,所述电流产生单元包括NPN三极管及电阻;在第一个所述电流产生单元中,所述NPN三极管的基极接所述偏置电压,所述NPN三极管的发射极经串接的所述电阻后接所述负电源,所述NPN三极管的发射极还接所述反馈电压,所述NPN三极管的集电极输出第一个所述偏置电流;在第i个所述电流产生单元中,所述NPN三极管的基极接所述偏置电压,所述NPN三极管的发射极经串接的所述电阻后接所述负电源,所述NPN三极管的集电极输出第i个所述偏置电流。

7.根据权利要求6所述的电流产生电路,其特征在于,所述第一电阻的温度系数与所述第二电阻的温度系数相同,所述电流产生模块中各个所述电阻的温度系数为零,所述电流产生模块中各个所述NPN三极管的参数规格相同。

8.一种对数放大器,其特征在于,包括对数放大模块及权利要求1-7中任一项所述的电流产生电路,所述对数放大模块包括N个差分对数单元,N个所述差分对数单元与N个所述偏置电流一一对应连接。

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