[发明专利]一种硅基液晶及光波长选择开关

权利要求书

1.一种硅基液晶，其特征在于：包括：

CMOS基板；

像素金属层，所述像素金属层设于CMOS基板上；

液晶盒，所述液晶盒位于像素金属层上方，所述液晶盒还包括：边框胶、第一取向层、液晶层和第二取向层，所述液晶盒厚度为2.4微米～2.8微米，所述第一取向层与第二取向层厚度相同，所述边框胶内部混合有衬垫珠，所述衬垫珠的直径为2.4微米～2.8微米，所述液晶层的预倾角为3度-6度；

ITO玻璃，所述ITO玻璃设于液晶盒上。

2.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述ITO玻璃上刻有金光栅，所述ITO玻璃与金光栅之间设有薄钛层。

3.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：其制备方法包括以下步骤：

S1：ITO玻璃处理，通过电子束在ITO玻璃光刻上金光栅；

S2：CMOS基板处理，在下玻璃基板上溅射一层与其面积相等、厚度为50nm的铝电极，在铝层上面涂覆二氧化硅氧化物；

S3：涂覆光控取向剂SD1，将CMOS基板放在匀胶机托盘中心，然后滴入适量取向剂，启动匀胶机，在800r/min的转速下旋涂5〜10s,使溶液均匀铺开；然后在3000r/min的转速下旋涂5min，同样的方法进行ITO玻璃底部取向剂的涂覆；

S4：将旋涂后的CMOS基板以及ITO玻璃水平置于控温热台上，进行退火，退火的温度为100°C，时间为10〜12min；

S5：液晶取向，通过摩擦使液晶分子的取向完全一致；

S6：静电除尘；

S7：调配边框胶；通过搅拌器对衬垫珠与边框胶进行混合，混合完成后装入真空箱中进行抽真空去除气泡；

S8：涂覆边框胶，通过涂胶机对ITO玻璃底部边缘进行涂覆上述步骤中的边框胶，涂覆完成后放置在加热板上50-60℃初步固化；

S9：ITO玻璃与CMOS基板贴合，涂胶完成后将CMOS基板对准贴合；贴合完成后放入真空箱中真空压合，压力70Kpa加压15分钟；

S10：边框胶固化，真空压合后的CMOS基板与ITO玻璃放入紫外固化仪器中固化；

S11：液晶灌装，液晶盒与液晶材料置于真空环境，将液晶盒封口处接触液晶面，然后恢复到大气压状态，利用液晶的毛细现象和压力差，平缓地将液晶注入液晶盒内。

4.根据权利要求2所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述薄钛层厚度为8纳米～12纳米。

5.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述CMOS基板由硅晶圆、CMOS驱动电路层和二氧化硅氧化物层组成，硅晶圆位于底层，CMOS驱动电路层位于硅晶圆与二氧化硅氧化物层之间。

6.根据权利要求3所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述衬垫珠与边框胶的质量配比为1：100。

7.根据权利要求3所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述CMOS基板上二氧化硅氧化物层的厚度为600纳米～800纳米。

8.根据权利要求1所述的一种硅基液晶，其特征在于：所述第一取向层与第二取向层均采用含硅PI材料制成。

9.一种光波长选择开关，其特征在于：包括如权利要求1至8任一项所述的硅基液晶。