[发明专利]一种功率器件测试方法及系统有效

专利信息
申请号: 202210383083.1 申请日: 2022-04-12
公开(公告)号: CN114740297B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 赵智星;刘扬;詹海峰;黎成章;谢峰;王自鑫;胡宪权;黄玲军 申请(专利权)人: 湖南炬神电子有限公司;中山大学
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R27/08
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 田春龙
地址: 423000 湖南省郴州市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 器件 测试 方法 系统
【说明书】:

发明提供了一种功率器件测试方法及系统,功率器件测试方法包括:将待测试的功率器件放入待测模块,并把功率器件作为待测器件接入测试电路中;输入不同的电压条件;通过栅极驱动信号输入双脉冲信号;在待测器件导通过程中,通过电感模块获取电流经过的感量,并根据感量的大小调节电流的大小;通过钳位电路根据双脉冲信号测量待测器件的电压测量数据;探测检测电阻的电流流经测量值,并结合电压测量数据得到待测器件的测试结果。本发明提出的功率器件测试方法及系统能够测出功率器件在工作时动态导通电阻值的变化情况,测试得到的阻值不仅精度较高,而且抗干扰性好。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域,特别涉及一种功率器件测试方法及系统。

背景技术

功率器件就是输出功率比较大的电子元器件,目前,在现有技术中,一般只能静态测出功率器件的导通电阻值,而且测试得到的结果不仅精确度较低,还不能实时反馈功率器件开关过程中导通电阻的变化情况,因此,本发明提出一种功率器件测试方法及系统,能够测出功率器件在工作时动态导通电阻值的变化情况,测试得到的阻值不仅精度较高,而且抗干扰性好。

发明内容

本发明的目的在于提供一种功率器件测试方法及系统,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案,一种功率器件测试方法,所述功率器件测试方法,包括:

将待测试的功率器件放入待测模块,并把所述功率器件作为待测器件接入测试电路中;

输入不同的电压条件;

通过栅极驱动信号输入双脉冲信号;

在所述待测器件导通过程中,通过电感模块获取电流经过的感量,并根据所述感量的大小调节电流的大小;根据所述双脉冲信号针对所述待测器件进行信号驱动,并通过钳位电路测量所述待测器件的电压测量数据;探测检测电阻的电流流经测量值;

根据所述电压测量数据和所述电流流经测量值得到所述待测器件的测试结果。

进一步地,在输入不同的电压条件时,根据所述待测器件输入高压直流电,而且针对输入高压直流电通过保险丝和电容进行滤波处理,并且在滤波处理时,滤波的大小根据所述待测器件确定。

进一步地,所述双脉冲信号为PWM控制信号,在根据所述双脉冲信号针对所述待测器件进行信号驱动时包括:通过转接口PWM_IN1接收输入的PWM控制信号;针对所述PWM控制信号进行滤波处理,获得第一处理控制信号;采用隔离驱动器根据所述第一处理控制信号驱动所述待测器件;其中,所述隔离驱动器通过IC供电电路进行供电,在所述IC供电电路中,采用隔离电源输出低压直流电压为所述隔离驱动器进行供电。

进一步地,所述通过钳位电路测量所述待测器件的电压测量数据,包括:在所述钳位电路中输入低压直流电压;当所述待测器件关断时,分析关断状态数据信息,在所述关断状态数据信息中,VDS位置处是高压,二极管D1反向截止,VM位置的电压与二极管D1的电压相等;当所述待测器件导通时,分析导通状态数据信息,在所述导通状态数据信息中,VDS位置处是低压,二极管D1导通,并通过测量VM位置的电压得到VM位置的电压;根据所述关断状态数据信息和所述导通状态数据信息得到所述待测器件的电压测量数据。

进一步地,所述检测电阻的两端连线上设有检测口,在对所述检测电阻进行探测时,采用示波器电流探棒将所述示波器电流探棒的探头连接到所述检测口上,获得检测电阻的电流流经测量值。

一种功率器件测试系统,所述功率器件测试方法包括:待测模块、高压输入模块、电感模块、钳位电路模块、信号驱动模块和测试分析模块;

所述待测模块,用于放置待测试的功率器件,将所述功率器件作为待测器件接入测试电路中;

所述高压输入模块,用于输入不同的电压条件;

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