[发明专利]一种功率器件测试方法及系统有效
| 申请号: | 202210383083.1 | 申请日: | 2022-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN114740297B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
| 发明(设计)人: | 赵智星;刘扬;詹海峰;黎成章;谢峰;王自鑫;胡宪权;黄玲军 | 申请(专利权)人: | 湖南炬神电子有限公司;中山大学 |
| 主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R27/08 |
| 代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 田春龙 |
| 地址: | 423000 湖南省郴州市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率 器件 测试 方法 系统 | ||
1.一种功率器件测试方法,其特征在于,所述功率器件测试方法包括:
将待测试的功率器件放入待测模块,并把所述功率器件作为待测器件接入测试电路中;
输入不同的电压条件;
通过栅极驱动信号输入双脉冲信号;
在所述待测器件导通过程中,通过电感模块获取电流经过的感量,并根据所述感量的大小调节电流的大小;根据所述双脉冲信号针对所述待测器件进行信号驱动,并通过钳位电路测量所述待测器件的电压测量数据;探测检测电阻的电流流经测量值;
根据所述电压测量数据和所述电流流经测量值得到所述待测器件的测试结果;
在将待测试的功率器件放入待测模块之后,待测模块针对待测器件进行温度监测,具体为:
按照预设频率在待测器件接入测试电路后多次获得待测器件多个位置点的感应温度,并针对同一次获取的不同位置点的感应温度进行分析,将重点位置的感应温度的最大值作为待测器件在该次温度感应时的监测温度,其中,重点位置是指待测器件的芯片位置;
在数据分析反应中针对实时传输的监测温度通过如下公式进行分析:
上述公式中,为第一判断值;为第二判断值;表示第次获取的待测器件的监测温度;表示第次获取的待测器件的监测温度;表示第次获取的待测器件的监测温度;为第二预设阈值,其取值与待测器件的正常温度范围有关;为第一预设阈值,其取值为正数;
在第一判断值和第二判断值不同时为正数时认为待测器件的温度异常,此时,向工作人员进行提醒。
2.根据权利要求1所述的功率器件测试方法,其特征在于,在输入不同的电压条件时,根据所述待测器件输入高压直流电,而且针对输入高压直流电通过保险丝和电容进行滤波处理,并且在滤波处理时,滤波的大小根据所述待测器件确定。
3.根据权利要求1所述的功率器件测试方法,其特征在于,所述双脉冲信号为PWM控制信号,在根据所述双脉冲信号针对所述待测器件进行信号驱动时包括:通过转接口PWM_IN1接收输入的PWM控制信号;针对所述PWM控制信号进行滤波处理,获得第一处理控制信号;采用隔离驱动器根据所述第一处理控制信号驱动所述待测器件;其中,所述隔离驱动器通过IC供电电路进行供电,在所述IC供电电路中,采用隔离电源输出低压直流电压为所述隔离驱动器进行供电。
4.根据权利要求1所述的功率器件测试方法,其特征在于,所述通过钳位电路测量所述待测器件的电压测量数据,包括:在所述钳位电路中输入8V直流电压;当所述待测器件关断时,分析关断状态数据信息,在所述关断状态数据信息中,VDS位置处是高压,二极管D1反向截止,VM位置的电压与二极管D1的电压相等;当所述待测器件导通时,分析导通状态数据信息,在所述导通状态数据信息中,VDS位置处是低压,二极管D1导通,并通过测量VM位置的电压得到VM位置的电压;根据所述关断状态数据信息和所述导通状态数据信息得到所述待测器件的电压测量数据。
5.根据权利要求1所述的功率器件测试方法,其特征在于,所述检测电阻的两端连线上设有检测口,在对所述检测电阻进行探测时,采用示波器电流探棒将所述示波器电流探棒的探头连接到所述检测口上,获得检测电阻的电流流经测量值。
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