[发明专利]一种高存储密度的多状态ROM电路在审
| 申请号： | 202210382971.1 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114817092A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张一平 | 申请（专利权）人： | 苏州菲斯力芯软件有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 苏州吴韵知识产权代理事务所(普通合伙) 32364 | 代理人： | 金伟强 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储 密度 状态 rom 电路 | ||
1.一种高存储密度的多状态ROM电路，包括内部存储器(1)、ROM(2)、控制处理器(3)、总线(4)、主机接口(5)、缓冲存储器(6)和存储器接口(7)，其特征在于：所述内部存储器(1)通过总线(4)进行通信，所述ROM(2)通过总线(4)进行通信，所述控制处理器(3)通过总线(4)进行通信，所述主机接口(5)通过总线(4)进行通信，所述缓冲存储器(6)通过总线(4)进行通信，所述存储器接口(7)通过总线(4)进行通信；
所述ROM(2)包括第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元，所述第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元和第四ROM存储单元均为单独的存储单元。
2.根据权利要求1所述的一种高存储密度的多状态ROM电路，其特征在于：所述第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元分别采用LVT、RVT和HVT的MOS管。
3.根据权利要求2所述的一种高存储密度的多状态ROM电路，其特征在于：所述第一ROM存储单元、第二ROM存储单元、第三ROM存储单元分别采用LVT、RVT和HVT的MOS管以实现“00”、“01”和“10”的存储。
4.根据权利要求1所述的一种高存储密度的多状态ROM电路，其特征在于：还包括引导ROM模块和存储元件，所述引导ROM模块包括配置指令和补丁数据复制指令；所述内部存储器包括控制器和补丁数据；所述存储元件包括补丁数据和配置数据。
5.根据权利要求1所述的一种高存储密度的多状态ROM电路，其特征在于：其设计方法包括以下步骤：
S1：提供4种单独的ROM存储单元；
S2：分别采用LVT、RVT和HVT的MOS管以实现“00”、“01”和“10”的存储，采用传统存储单元实现“11”的存储。
6.根据权利要求5所述的一种高存储密度的多状态ROM电路，其特征在于：所述S2中ROM单元的读电流：“00”“01”“10”“11”。
7.根据权利要求5所述的一种高存储密度的多状态ROM电路，其特征在于：所述ROM存储阵列中可通过编程孔对各存储单元实现编程或者通过管子阈值电压来编程，提供单bit对应两位信息。
8.根据权利要求5所述的一种高存储密度的多状态ROM电路，其特征在于：对于不同储值的实现，可利用多种阈值的MOS管、利用MOS的沟道长度来调控单元读取时的位线电位变化速度或利用晶体管的宽度用于形成多位bit。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州菲斯力芯软件有限公司，未经苏州菲斯力芯软件有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210382971.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
