[发明专利]一种双频段基片集成波导滤波天线

说明书

本发明涉及一种双频段基片集成波导滤波天线，属于天线技术领域。该滤波天线包括上、下层介质基板，金属通孔、金属耦合探针、金属接地板、50欧姆微带线、共面波导、矩形匹配槽、矩形辐射槽以及金属匹配柱等。其中上层介质基板、上层金属接地板、第一金属通孔和中层金属接地板构成上谐振腔体；下层介质基板、中层金属接地板、下层金属接地板和第二金属通孔构成下谐振腔体；金属通孔用于构成上、下谐振腔体的金属壁；矩形辐射槽设置在上谐振腔体中，将其分割成左右两个部分。本发明通过被分割成左右两部分的上谐振腔体，使得该滤波天线具有双频段的效果，并且双频段均具有滤波功能。

技术领域

本发明属于天线技术领域，涉及一种双频段基片集成波导滤波天线。

背景技术

近年来，通信标准的多制式需求以及通信设备小型化、紧凑化的发展，要求射频前端器件具备多频段、多功能化。天线与滤波器作为射频前端重要组成部分，其集成化、一体化、多频段化的设计受到了广泛关注。具有带外抑制功能的双频滤波天线设计成为了当前的研究热点。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种双频段基片集成波导滤波天线，具有良好的带外抑制功能以及平坦的通带增益，同时实现天线剖面低，尺寸紧凑，易于与其他平面电路集成。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种双频段基片集成波导滤波天线，该天线包括上层介质基板1、下层介质基板2、上层金属接地板3、中层金属接地板4、下层金属接地板5、第一金属通孔6、第二金属通孔7、矩形辐射槽8、第一金属耦合探针9、第二金属耦合探针10、金属匹配柱11和激励源；

所述上层介质基板1与下层介质基板2上下紧密贴合，在上层介质基板1的上表面设置上层金属接地板3，在下层介质基板2的上表面设置中层金属接地板4，在下层介质基板2下表面设置下层金属接地板5；

所述上层介质基板1、上层金属接地板3、第一金属通孔6和中层金属接地板4构成上谐振腔体，其中第一金属通孔6贯穿上层介质基板1以及上层金属接地板3，并呈直线分布在上层介质基板1的四周；

所述下层介质基板2、中层金属接地板4、下层金属接地板5和第二金属通孔7构成下谐振腔体，其中，第二金属通孔7贯穿下层介质基板2、中层金属接地板4以及下层金属接地板5，并呈直线分布在下层介质基板2的四周；

所述第一金属通孔6构成上谐振腔体的金属壁，所述第二金属通孔7构成下谐振腔体的金属壁，且金属通孔的位置对称；

所述矩形辐射槽8蚀刻在上层金属接地板3上，矩形辐射槽8设置在上谐振腔体中，将上谐振腔体分割成左右两个部分；

所述第一金属耦合探针9和第二金属耦合探针10由下层金属接地板5贯穿到上层金属接地板3，其中第一金属耦合探针9位于上层金属接地板3的左侧，用以连接下层金属接地板5和上层金属接地板3；第二金属耦合探针10位于上层金属接地板3右侧，用以连接下层金属接地板5和上层金属接地板3；

所述金属匹配柱11由中层金属接地板4贯穿到上层金属接地板3，从而连接两接地板，有效改善阻抗匹配，其位置设置在上层金属接地板3的右侧；

所述激励源设置在下层金属接地板5上。

可选地，所述激励源包括依次连接的50欧姆微带线12、共面波导13和矩形匹配槽14，其中，50欧姆微带线12、共面波导13和矩形匹配槽14由外向内设置在下层金属接地板5上。

可选地，所述上层金属接地板3、中层金属接地板4、下层金属接地板5和50欧姆微带线12的厚度相同。

可选地，所述金属匹配柱11位于上谐振腔体的右侧部分。

可选地，所述矩形匹配槽14关于共面波导13馈线的中轴线镜像对称。