[发明专利]一种双频段基片集成波导滤波天线

权利要求书

1.一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：该天线包括上层介质基板(1)、下层介质基板(2)、上层金属接地板(3)、中层金属接地板(4)、下层金属接地板(5)、第一金属通孔(6)、第二金属通孔(7)、矩形辐射槽(8)、第一金属耦合探针(9)、第二金属耦合探针(10)、金属匹配柱(11)和激励源；

所述上层介质基板(1)与下层介质基板(2)上下紧密贴合，在上层介质基板(1)的上表面设置上层金属接地板(3)，在下层介质基板(2)的上表面设置中层金属接地板(4)，在下层介质基板(2)下表面设置下层金属接地板(5)；

所述上层介质基板(1)、上层金属接地板(3)、第一金属通孔(6)和中层金属接地板(4)构成上谐振腔体，其中第一金属通孔(6)贯穿上层介质基板(1)以及上层金属接地板(3)，并呈直线分布在上层介质基板(1)的四周；

所述下层介质基板(2)、中层金属接地板(4)、下层金属接地板(5)和第二金属通孔(7)构成下谐振腔体，其中，第二金属通孔(7)贯穿下层介质基板(2)、中层金属接地板(4)以及下层金属接地板(5)，并呈直线分布在下层介质基板(2)的四周；

所述第一金属通孔(6)构成上谐振腔体的金属壁，所述第二金属通孔(7)构成下谐振腔体的金属壁，且金属通孔的位置对称；

所述矩形辐射槽(8)蚀刻在上层金属接地板(3)上，矩形辐射槽(8)设置在上谐振腔体中，将上谐振腔体分割成左右两个部分；

所述第一金属耦合探针(9)和第二金属耦合探针(10)由下层金属接地板(5)贯穿到上层金属接地板(3)，其中第一金属耦合探针(9)位于上层金属接地板(3)的左侧，用以连接下层金属接地板(5)和上层金属接地板(3)；第二金属耦合探针(10)位于上层金属接地板(3)的右侧，用以连接下层金属接地板(5)和上层金属接地板(3)；

所述金属匹配柱(11)由中层金属接地板(4)贯穿到上层金属接地板(3)，其位置设置在上层金属接地板(3)的右侧；

所述激励源设置在下层金属接地板(5)上。

2.根据权利要求1所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述激励源包括依次连接的50欧姆微带线(12)、共面波导(13)和矩形匹配槽(14)；其中，50欧姆微带线(12)、共面波导(13)和矩形匹配槽(14)由外向内设置在下层金属接地板(5)上。

3.根据权利要求1或2所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述上层金属接地板(3)、中层金属接地板(4)、下层金属接地板(5)和50欧姆微带线(12)的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述金属匹配柱(11)位于上谐振腔体的右侧部分。

5.根据权利要求2所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述矩形匹配槽(14)关于共面波导(13)馈线的中轴线镜像对称。

6.根据权利要求1所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述上层介质基板(1)和下层介质基板(2)为均长78mm，宽58mm的矩形，其中上层介质基板(1)厚度为1.575mm，下层介质基板(2)厚度为0.79mm。

7.根据权利要求1所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述第一金属通孔(6)和第二金属通孔(7)的直径均为d＝1mm，金属通孔中心间距均为s＝1.5mm。

8.根据权利要求1所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述矩形辐射槽(8)的宽边长度为43mm，短边长度为12mm。

9.根据权利要求1所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述第一金属耦合探针(9)和第二金属耦合探针(10)的直径均为a＝1mm。

10.根据权利要求1、2或5所述的一种双频段基片集成波导滤波天线，其特征在于：所述金属匹配柱(11)的直径为b＝1mm；

所述50欧姆微带线(12)长度为f_ms＝9mm，所述共面波导(13)长度为f_in＝6.5mm，宽度均为f_w＝3mm；其中共面波导(13)的缝隙宽度为f_sw＝1.3mm；

所述矩形匹配槽(14)的长度为m_l＝2mm，宽度为m_w＝1mm。