[发明专利]MXene/镍纳米线导电填料及制备方法和应用

权利要求书

1.一种MXene/镍纳米线导电填料，其特征在于，是由镍纳米线和MXene复合而成，镍纳米线附着生长在MXene上，且镍纳米线的质量分数为35％～70％，MXene的质量分数为30％～65％。

2.一种如权利要求1所述的MXene/镍纳米线导电填料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，制备硝酸镍醇溶液；

步骤2，MXene粉体的预处理，包括粗化、敏化和活化；

步骤3，制备模板剂醇溶液；

步骤4，制备生长助剂三氯化铁醇溶液；

步骤5，将步骤1、步骤3和步骤4所得的溶液充分混合，加入经过步骤2处理后的MXene粉体，搅拌均匀后进行水浴加热，机械搅拌使其充分溶解混合；

步骤6，将步骤5得到的混合液倒入反应釜中，置于烘箱中，在交变强磁场环境中保温一定时长，并随炉冷却，得到反应后物料；

步骤7，将步骤6所得的反应后物料经清洗、真空烘干后得到干燥的MXene/镍纳米线导电填料。

3.根据权利要求2所述的一种MXene/镍纳米线导电填料的制备方法，其特征在于，步骤1中，制备硝酸镍醇溶液的具体过程为：将Ni(NO₃)₂·6H₂O和乙二醇混合，搅拌10～30min，使硝酸镍溶解于乙二醇中，得到硝酸镍醇溶液；其中，Ni(NO₃)₂·6H₂O和乙二醇的质量体积比为(4～6g):(20～40ml)。

4.根据权利要求2所述的一种MXene/镍纳米线导电填料的制备方法，其特征在于，步骤2中，MXene粉体的预处理具体步骤为：

步骤2.1，称取MXene粉体倒入硝酸水溶液中，并使MXene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对MXene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为30min～60min；

步骤2.2，将盐酸和SnCl₂水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.1处理后得到的MXene粉体倒入敏化处理液中，并使MXene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对MXene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为30min～60min；

步骤2.3，将Ni(NO₃)₂·6H₂O溶于水中配制成浓度为0.2～0.6mol/L的活化液，将经步骤2.2处理后得到的MXene粉体倒入活化液中，并使MXene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对MXene粉体进行活化处理，活化处理时间为1.5h～2.5h，再将经活化处理后的MXene粉体进行水洗、烘干，得到预处理后的MXene粉体。

5.根据权利要求2所述的一种MXene/镍纳米线导电填料的制备方法，其特征在于，步骤3中的模板剂醇溶液为PVP模板剂醇溶液；该PVP模板剂醇溶液的制备过程具体为：将模板剂PVP和乙二醇混合，然后置于超声波分散器中超声溶解10～20min，得到PVP模板剂醇溶液；其中，PVP与乙二醇的质量体积比为(0.6～0.9g)：(10～20ml)。

6.根据权利要求2所述的一种MXene/镍纳米线导电填料的制备方法，其特征在于，步骤4中的生长助剂三氯化铁醇溶液的制备过程具体为：将三氯化铁与乙二醇混合，搅拌充分溶解，得到三氯化铁醇溶液；其中，三氯化铁与乙二醇的质量体积之比为(0.001～0.005g)：(10～15ml)。

7.根据权利要求2所述的一种MXene/镍纳米线导电填料的制备方法，其特征在于，步骤5中，水浴加热的温度为40～60℃，搅拌时间为10～20min。

8.根据权利要求2所述的一种MXene/镍纳米线导电填料的制备方法，其特征在于，步骤6中，交变强磁场环境的磁场强度为0.5T，且每隔1h变换磁场方向，保温温度为150～180℃，保温时长为5h～8h。

9.权利要求1所述的MXene/镍纳米线导电填料的应用，其特征在于，该MXene/镍纳米线导电填料用于制备防腐蚀涂层。