[发明专利]一种晶圆检测中的动态对焦方法、装置、设备和介质

说明书

本发明公开了一种晶圆检测中的动态对焦方法、装置、设备和介质，其中，对焦方法通过先获取第一待检测晶圆的原始面型，接着通过动态选取不同的预设路径和拟合算法来获取第一待检测晶圆的拟合面型，当第一待检测晶圆的拟合面型和原始面型之间的残差小于或等于成像设备的焦深，则选择当前预设路径和当前拟合算法拟合待检测的同一批次晶圆中各待检测晶圆的拟合面型，并根据拟合面型控制成像设备对各待检测晶圆进行成像。以实现在对焦过程中可以根据晶圆本身的情况动态选择拟合算法和扫描路径，避免在同一批次的晶圆检测中使用单一的路径和拟合算法，导致的搭配不佳、产率低的问题。

技术领域

本发明涉及光学检测技术领域，尤其涉及一种晶圆检测中的动态对焦方法、装置、设备和介质。

背景技术

在硅片生产过程中，需要对硅片进行检测，一般是通过相机对晶圆进行拍照，然后通过图像分析晶圆是否存在缺陷，由此，晶圆的表面在相机拍照时能否处于相机的焦面上，是拍照能否清晰的关键。目前通常做法是，使用垂向测量传感器确定晶圆面型，随后通过标定的焦面位置与面型结果的处理得出实际焦面位置，然后控制相机与位移台相对移动，使得晶圆的表面一直处于相机的焦深中。

但其存在的问题是，如果对每个硅片测量点进行自动对焦会造成大量时间的浪费，从而降低设备的产率；如果使用固定的面型测量方案如十字面型或栅格面型测量，获取数据后进行拟合，得出整体晶圆的面型，供后续焦面控制使用，虽然可能提高了设备的产率，但是固定的方案需要人工根据不同情况进行选择，可能出现搭配不佳，后续焦面控制无法满足精度要求的情况，或者出现耗时过久的方案导致产率下降；并且机台处理同一批的晶圆时会使用同一种测量方案，如果由于方案不佳导致离焦出现时，没有纠正措施，会导致整批数据出现问题。

发明内容

本发明提供了一种晶圆检测中的动态对焦方法、装置、设备和介质，以实现在对焦过程中可以根据晶圆本身的情况动态选择拟合算法和扫描路径，避免在同一批次的晶圆检测中使用单一的路径和拟合算法，导致的搭配不佳、产率低的问题。

为实现上述目的，本发明第一方面实施例提出了一种晶圆检测中的动态对焦方法，包括以下步骤：

获取待检测的同一批次晶圆中第一待检测晶圆的原始面型；

选择第i预设路径和第j拟合算法拟合出所述第一待检测晶圆的第一拟合面型；

获取所述第一拟合面型和所述原始面型之间的第一残差；

若所述第一残差大于成像设备的焦深，则选择第i+m预设路径和第j+n拟合算法，拟合出所述第一待检测晶圆的第二拟合面型；

获取所述第二拟合面型和所述原始面型之间的第二残差；

依次重复，直至所述第一待检测晶圆的拟合面型和原始面型之间的残差小于或等于所述成像设备的焦深，则选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中各待检测晶圆的拟合面型，并根据所述拟合面型控制所述成像设备对各所述待检测晶圆进行成像，其中，i,j为正整数,m,n为自然数，m,n不同时为0。

根据本发明的一个实施例，第i+m-1预设路径相较于所述第i+m预设路径短；第j+n-1拟合算法相较于所述第j+n拟合算法的拟合阶数低，其中，m,n为正整数。

根据本发明的一个实施例，所述选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中各待检测晶圆的拟合面型，并根据所述拟合面型控制所述成像设备对各所述待检测晶圆进行成像包括：

选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中第二待检测晶圆的拟合面型，并根据所述拟合面型控制所述成像设备对所述第二待检测晶圆进行成像；

获取第二待检测晶圆的图像；

获取所述第二待检测晶圆的图像的清晰度；