[发明专利]一种晶圆检测中的动态对焦方法、装置、设备和介质有效
申请号: | 202210373075.9 | 申请日: | 2022-04-11 |
公开(公告)号: | CN114827457B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 徐扬;沈锦华 | 申请(专利权)人: | 合肥御微半导体技术有限公司 |
主分类号: | H04N23/67 | 分类号: | H04N23/67;G01N21/95;H01L21/66 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 赵翠香 |
地址: | 230088 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 中的 动态 对焦 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种晶圆检测中的动态对焦方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取待检测的同一批次晶圆中第一待检测晶圆的原始面型;
选择第i预设路径和第j拟合算法拟合出所述第一待检测晶圆的第一拟合面型;
获取所述第一拟合面型和所述原始面型之间的第一残差;
若所述第一残差大于成像设备的焦深,则选择第i+m预设路径和第j+n拟合算法,拟合出所述第一待检测晶圆的第二拟合面型;
获取所述第二拟合面型和所述原始面型之间的第二残差;
依次重复,直至所述第一待检测晶圆的拟合面型和原始面型之间的残差小于或等于所述成像设备的焦深,则选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中各待检测晶圆的拟合面型,并根据所述拟合面型控制所述成像设备对各所述待检测晶圆进行成像,其中,i,j为正整数,m,n为自然数,m,n不同时为0。
2.根据权利要求1所述的晶圆检测中的动态对焦方法,其特征在于,
第i+m-1预设路径相较于所述第i+m预设路径短;第j+n-1拟合算法相较于所述第j+n拟合算法的拟合阶数低,其中,m,n为正整数。
3.根据权利要求1所述的晶圆检测中的动态对焦方法,其特征在于,所述选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中各待检测晶圆的拟合面型,并根据所述拟合面型控制所述成像设备对各所述待检测晶圆进行成像包括:
选择当前预设路径和当前拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中第二待检测晶圆的拟合面型,并根据所述拟合面型控制所述成像设备对所述第二待检测晶圆进行成像;
获取第二待检测晶圆的图像;
获取所述第二待检测晶圆的图像的清晰度;
若所述第二待检测晶圆的图像的清晰度小于预设清晰度,则调整所述当前预设路径和所述当前拟合算法,并当所述第一待检测晶圆的拟合面型和原始面型之间的残差小于或等于所述成像设备的焦深时,选择调整后的预设路径和拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中第三待检测晶圆的拟合面型,并根据所述拟合面型控制所述成像设备对所述第三待检测晶圆进行成像;
获取第三待检测晶圆的图像;
获取所述第三待检测晶圆的图像的清晰度;
依次重复,直至第k待检测晶圆的图像的清晰度大于或等于所述预设清晰度,选择最后一次调整得到的预设路径和拟合算法拟合所述待检测的同一批次晶圆中其余各待检测晶圆的拟合面型,并根据所述拟合面型控制所述成像设备对其余各所述待检测晶圆进行成像;其中k为大于或等于3的整数。
4.根据权利要求3所述的晶圆检测中的动态对焦方法,其特征在于,
所述获取第二待检测晶圆的图像包括:
获取所述第二待检测晶圆的多个局部图像;拼接各个局部图像形成第二拼接整体图像;
所述获取所述第二待检测晶圆的图像的清晰度包括:
获取所述第二拼接整体图像的清晰度;
所述获取第三待检测晶圆的图像包括:
获取所述第三待检测晶圆的多个局部图像;拼接各个局部图像形成第三拼接整体图像;
所述获取所述第三待检测晶圆的图像的清晰度包括:
获取所述第三拼接整体图像的清晰度。
5.根据权利要求3所述的晶圆检测中的动态对焦方法,其特征在于,
所述获取第二待检测晶圆的图像包括:
获取所述第二待检测晶圆的任一局部图像;
所述获取所述第二待检测晶圆的图像的清晰度包括:
获取所述第二待检测晶圆的任一局部图像的清晰度;
所述获取第三待检测晶圆的图像包括:
获取所述第三待检测晶圆的任一局部图像;
所述获取所述第三待检测晶圆的图像的清晰度包括:
获取所述第三待检测晶圆的任一局部图像的清晰度。
6.根据权利要求1所述的晶圆检测中的动态对焦方法,其特征在于,所述获取待检测的同一批次晶圆中第一待检测晶圆的原始面型包括:
控制对焦传感器对所述第一待检测晶圆的表面进行数据采集;
根据所述对焦传感器采集的数据形成所述第一待检测晶圆的三维面型热力图。
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