[发明专利]多层陶瓷电子组件

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层；

第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及

外电极，形成在所述陶瓷主体的外部上，并且包括连接到所述第一内电极的第一外电极和连接到所述第二内电极的第二外电极，

其中，当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35，

其中，所述第一内电极和所述第二内电极的所述平均厚度为0.41μm或更小。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述平均厚度以及所述第一内电极和所述第二内电极的所述平均厚度为在所述陶瓷主体的在宽度方向上的中央部切割的长度-厚度方向截面中获取的平均厚度。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述平均厚度为0.4μm或更小。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差为在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中的任意一个内电极的在间距为10nm或更小的至少10个位置的厚度的标准偏差。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述厚度的标准偏差为在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中的任意一个介电层的在间距为10nm或更小的至少10个位置处的厚度的标准偏差。

6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷主体包括至少200个介电层。

7.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层；

第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及

外电极，形成在所述陶瓷主体的外部上，并且包括连接到所述第一内电极的第一外电极和连接到所述第二内电极的第二外电极，

其中，当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35，

其中，所述介电层的所述平均厚度为0.4μm或更小。

8.如权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述平均厚度以及所述第一内电极和所述第二内电极的所述平均厚度为在所述陶瓷主体的在宽度方向上的中央部切割的长度-厚度方向截面中获取的平均厚度。

9.如权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的所述厚度的标准偏差为在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中的任意一个内电极的在间距为10nm或更小的至少10个位置的厚度的标准偏差。

10.如权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的所述厚度的标准偏差为在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中的任意一个介电层的在间距为10nm或更小的至少10个位置的厚度的标准偏差。

11.如权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述陶瓷主体包括至少200个介电层。