[发明专利]一种同步整流的控制方法、电路、装置以及介质

说明书

本申请公开了一种同步整流的控制方法、电路、装置以及介质，应用于电气领域，该方法应用于一种同步整流电路。同步整流电路包括同步整流芯片、MOS管，该方法包括：获取同步整流芯片的VD脚位的电压与VCC脚位的电压之间的电压差值；将电压差值在第一时间段内进行积分得到第一电压积分值，并比较第一电压积分值与第一基准电压值，若第一电压积分值大于第一基准电压值，则在下一次VD脚位的电压为负时，控制MOS管导通，其中，第一基准电压值大于由VD脚位震荡引起的第一电压积分值，且小于由同步整流电路正常工作引起的第一电压积分值。可避免由VD脚位振荡引起的MOS管误开通。

技术领域

本申请涉及电气领域，特别是涉及一种同步整流的控制方法、电路、装置以及介质。

背景技术

传统的开关电源输出侧整流使用的是二极管，但二极管有正向压降，因此开关电源的效率会受到限制。现在的同步整流技术通常利用场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOS管）替代二极管，并设计合理的电路驱动MOS管的开通与关断，模拟二极管的工作特性，较二极管更具正向开通性，从而可改善开关电源的效率。图1为一种同步整流电路的结构示意图，包括MOS管1和同步整流芯片2，如图所示，MOS管1的源极与同步整流芯片2的GNVD脚位以及电容的第一端相连，电容的第二端与同步整流芯片2的VCC脚位以及变压器副边的第一端相连，MOS管1的漏极与变压器副边的第二端以及电阻的第一端相连，电阻的第二端与同步整流芯片2的VD脚位相连，MOS管1的栅极与同步整流芯片2的DRV脚位相连，其中，DRV脚位是MOS管1的驱动脚位，VCC脚位是同步整流芯片2的供电脚位，VD脚位是电压判定脚位。目前，一般的控制方案是，当VD脚位的电压为负时，控制DRV脚位输出高电平，导通MOS管1，当VD脚位的电压为正压时，控制DRV脚位输出低电平，关断MOS管1。

但是，这种控制架构完全靠判定电压来控制MOS管的开通和关断，缺少原边开通识别机制，很容易造成MOS管的误操作，造成炸机现象。当变压器的副边电流下降为零之后，同步整流关断时，VD脚位会有振荡，且有可能会振荡到负压去，这时候会导致MOS管误开通，如果变压器原边的PWM信号在这时候变高，就会导致共通炸机。

由此可见，如何提高同步整流电路的安全性，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种同步整流的控制方法、电路、装置以及介质，以提高同步整流电路的安全性。

为解决上述技术问题，本申请提供一种同步整流的控制方法，应用于一种同步整流电路，所述同步整流电路包括同步整流芯片、MOS管，所述方法包括：

获取所述同步整流芯片的VD脚位的电压与VCC脚位的电压之间的电压差值；

将所述电压差值在第一时间段内进行积分得到第一电压积分值；其中，所述第一时间段包括从所述电压差值大于第一阈值起至下一次所述电压差值小于所述第一阈值，所述第一阈值小于所述电压差值的最大值，且大于所述电压差值的最小值；

比较所述第一电压积分值与第一基准电压值，其中，所述第一基准电压值大于由所述VD脚位震荡引起的所述第一电压积分值，且小于由所述同步整流电路正常工作引起的所述第一电压积分值；

若所述第一电压积分值大于所述第一基准电压值，且下一次所述VD脚位的电压为负时，控制所述MOS管导通。

优选地，比较所述第一电压积分值与所述第一基准电压值具体为：

获取电压系数；

获取第二电压积分值，所述第二电压积分值为所述第一电压积分值与所述电压系数的乘积；

比较所述第二电压积分值与第二基准电压值；

若所述第二电压积分值大于第二基准电压值，则表征所述第一电压积分值大于所述第一基准电压值；