[发明专利]一种同步整流的控制方法、电路、装置以及介质

权利要求书

1.一种同步整流的控制方法，应用于一种同步整流电路，所述同步整流电路包括同步整流芯片、MOS管，其特征在于，所述方法包括：

获取所述同步整流芯片的VD脚位的电压与VCC脚位的电压之间的电压差值；

将所述电压差值在第一时间段内进行积分得到第一电压积分值；其中，所述第一时间段包括从所述电压差值大于第一阈值起至下一次所述电压差值小于所述第一阈值，所述第一阈值小于所述电压差值的最大值，且大于所述电压差值的最小值；

比较所述第一电压积分值与第一基准电压值，其中，所述第一基准电压值大于由所述VD脚位震荡引起的所述第一电压积分值，且小于由所述同步整流电路正常工作引起的所述第一电压积分值；

若所述第一电压积分值大于所述第一基准电压值，且下一次所述VD脚位的电压为负时，控制所述MOS管导通。

2.根据权利要求1所述的同步整流的控制方法，其特征在于，比较所述第一电压积分值与所述第一基准电压值具体为：

获取电压系数；

获取第二电压积分值，所述第二电压积分值为所述第一电压积分值与所述电压系数的乘积；

比较所述第二电压积分值与第二基准电压值；

若所述第二电压积分值大于第二基准电压值，则表征所述第一电压积分值大于所述第一基准电压值；

若所述第二电压积分值大于所述第二基准电压值，且所述第二电压积分值与所述第二基准电压值之间的差值大于第二阈值，则减小所述电压系数，并返回所述获取电压系数的步骤。

3.根据权利要求2所述的同步整流的控制方法，其特征在于，所述比较所述第二电压积分值与第二基准电压值之后，还包括：

若所述第二电压积分值小于所述第二基准电压值，且所述第二电压积分值与所述第二基准电压值之间的差值小于第三阈值，则增大所述电压系数。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的同步整流的控制方法，其特征在于，所述第一基准电压值为根据所述同步整流电路的信息得到的。

5.根据权利要求4所述的同步整流的控制方法，其特征在于，所述信息至少包括所述同步整流电路的功率、所述同步整流电路的输入电压、所述同步整流电路的输出电压、以及所述同步整流芯片的最高工作电压、所述同步整流芯片的生产工艺中的任意一种或任意组合。

6.一种同步整流的控制电路，应用于一种同步整流电路，所述同步整流电路包括同步整流芯片、MOS管，其特征在于，所述同步整流的控制电路包括：差值获取电路、电容、重置MOS管、比较器、处理器；所述差值获取电路用于获取所述同步整流芯片的VD脚位的电压与VCC脚位的电压之间的电压差值；

所述差值获取电路与所述电容的第一端相连，用于从所述电压差值大于第一阈值起输出与所述电压差值大小一致的电压至所述电容；其中，所述第一阈值小于所述电压差值的最大值，且大于所述电压差值的最小值；

所述处理器与所述重置MOS管的栅极相连，用于在所述电压差值大于所述第一阈值后的下一次所述电压差值小于所述第一阈值时，向所述重置MOS管发送重置信号；

所述重置MOS管的漏极与所述电容的第一端相连，所述重置MOS管的源极接地，用于在接收到所述重置信号后重置所述电容的电压；

所述电容的第二端接地，用于存储第一时间段内的电能；其中，所述第一时间段包括从所述电压差值大于第一阈值起至下一次所述电压差值小于所述第一阈值；

所述比较器的输入端与所述电容的第一端相连，用于获取所述电容第一端的电压，以作为第一电压积分值，所述比较器还用于比较所述第一电压积分值与第一基准电压值；

所述处理器与所述比较器的输出端相连，用于若所述第一电压积分值大于所述第一基准电压值，且下一次所述VD脚位的电压为负时，控制所述MOS管导通，其中，所述第一基准电压值大于由所述VD脚位震荡引起的所述第一电压积分值，且小于由所述同步整流电路正常工作引起的所述第一电压积分值。