[发明专利]高能电子束产生装置在审
申请号: | 202210352484.0 | 申请日: | 2022-04-05 |
公开(公告)号: | CN114570199A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 印朝晖 | 申请(专利权)人: | 北京航天方达科技有限公司 |
主分类号: | B01D53/86 | 分类号: | B01D53/86;B01D53/56;B01D53/00;B01D53/32;B01D53/50;B01D49/00 |
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地址: | 100160 北京市丰台区汽车博物*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高能 电子束 产生 装置 | ||
1.高能电子束产生装置,其特征在于包括电源(1)、绝缘体(4)、阳极(5)、阳极支架(6)、出口腔体(7)、阴极(9)、收集装置(11)、进口腔体(13)、外壳(20);出口腔体(7)内为出口腔(15),出口腔体(7)的右侧面设有出口(8),出口腔体(7)的上端面设有第四通孔(22),出口腔体(7)的下端面设有第三通孔(21),出口(8)、第四通孔(22)、第三通孔(21)均与出口腔体(7)的出口腔(15)相连通,第四通孔(22)位于第三通孔(21)的正上方;
进口腔体(13)的右侧面设有进口(10),进口腔体(13)的上端面设有第二通孔(19),进口(10)、第二通孔(19)均与进口腔体(13)的进口腔相连通,进口腔体(13)的下端为开口端;进口腔体(13)的下端与收集装置(11)固定连接;
所述阴极(9)位于外壳(20)内,阴极(9)的下端由固定装置(14)与进口腔体(13)的上端固定连接,固定装置(14)上设有第一通孔(17),第一通孔(17)与进口腔体(13)上的第二通孔(19)相连通;阴极(9)的上端与出口腔体(7)的下端固定连接;外壳(20)的下端部与固定装置(14)固定连接,外壳(20)的上端部与出口腔体(7)的下端固定连接;
阳极(5)的上端部与阳极支架(6)相连,阳极(5)的中下部穿过第四通孔(22)、第三通孔(21)后位于阴极(9)的附近;阳极(5)由绝缘体(4)与出口腔体(7)相连,绝缘体(4)插入第四通孔(22)内;阳极(5)的上端由电源线(2)与电源(1)的正极相连,阴极(9)由电源线与电源(1)的负极相连。
2.根据权利要求1所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述阴极(9)为1-100个,阳极的个数为与阴极的个数相对应的个数。
3.根据权利要求1所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述阳极(5)与阴极(9)之间的距离为2-60cm。
4.根据权利要求1所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述阳极的材料为导电材料;所述阴极的材料为金属或合金。
5.根据权利要求1或2所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述阴极的形状为板式、管状或蜂窝状。
6.根据权利要求1或5所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述阴极(9)为管状,阴极(9)的管孔(16)的上端与第三通孔(21)相连通,阴极(9)的管孔(16)的下端与第一通孔(17)相连通,阳极(5)的中下部穿入阴极(9)的管孔(16)内。
7.根据权利要求1所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述电源为高频高压电源、高压变频电源或超音频高压电源,电源的电压为0.4千伏至200千伏,频率为3000Hz-30MHz。
8.根据权利要求1所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述电源线(2)上安装有稳流器(3),所述稳流器为可编程稳流器。
9.根据权利要求1所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述绝缘体的材料为玻璃、瓷瓶、尼龙柱、硅胶或四氟乙烯绝缘柱等材料。
10.根据权利要求1所述的高能电子束产生装置,其特征在于:所述阴极(9)的上端采用由固定装置与出口腔体(7)的下端固定连接。
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