[发明专利]一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器及制备方法

权利要求书

1.一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：包括蓝宝石的衬底(1)，置于所述衬底(1)上方的β-Ga₂O₃薄膜(2)，置于所述β-Ga₂O₃薄膜(2)上方的SSO层(3)，置于所述SSO层(3)上的第一测试电极(4)，置于所述SSO层(3)一侧且位于所述β-Ga₂O₃薄膜(2)上的第二测试电极(5)，所述β-Ga₂O₃薄膜(2)与所述SSO层(3)形成β-Ga₂O₃/SSO异质结，构成内界电场。

2.根据权利要求1所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述β-Ga₂O₃薄膜(2)的厚度为300～700nm，所述SSO层(3)的厚度为50～300nm。

3.根据权利要求2所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述β-Ga₂O₃薄膜(2)的面积大于所述SSO层(3)的面积，所述SSO层(3)的面积为所述β-Ga₂O₃薄膜(2)的面积的三分之二。

4.根据权利要求3所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述SSO层为SrSnO₃，且SrSnO₃需在氧气氛围中退火且进行Y元素掺杂形成Y-O₂-SrSnO₃。

5.根据权利要求4所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述SSO层(3)为SrSnO₃，且所述SrSnO₃需在氧气氛围中退火且进行Y元素掺杂形成Y-O₂-SrSnO₃，所述退火的氧气流量为1-100sccm，退火温度为100～900℃，退火时间5-120min。

6.根据权利要求5所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述Y元素的掺杂量为0.01-0.1％。

7.根据权利要求5所述的一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器，其特征在于：所述第一测试电极(4)和所述第二测试电极(5)均为Ti/Au复合电极，所述Ti/Au复合电极由Ti层和Au层构成，所述Ti层厚度为10～50nm，所述Au层厚度为10～100nm。

8.一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：将蓝宝石的所述衬底(1)进行预处理，分别用丙酮，无水乙醇和去离子水超声10min，将处理后的所述衬底(1)放入沉积室内采用金属氧化物化学气相沉积法(MOCVD)生长β-Ga₂O₃薄膜，形成β-Ga₂O₃光吸收层，即所述β-Ga₂O₃薄膜(2)，所述MOCVD的生长沉积条件如下，三乙基镓(TEGa)和高纯O₂为前驱体，高纯Ar作为载气，TEGa的气体流量为10～500sccm，工作气压为25Torr。

步骤二：在所述衬底(1)和所述β-Ga₂O₃光吸收层上旋涂SSO溶液，形成所述SSO层(3)，获得位于所述衬底(1)上的所述β-Ga₂O₃/SSO异质结；

步骤三，采用磁控溅射方法在所述β-Ga₂O₃/SSO异质结的所述SSO层3上制作Ti/Au薄膜第一测试电极(4)，在所述β-Ga₂O₃薄膜(2)上制作Ti/Au薄膜第二测试电极(5)，形成基于氧化镓基异质结构的日盲紫外探测器。