[发明专利]一种加速器

说明书

本申请涉及加速器，该加速器包括：写通道和读通道，写通道包括逻辑电路和多个缓存；逻辑电路从写命令中获取地址索引和L2P表条目；根据地址索引以及L2P表条目的有效数据位数确定出L2P表条目对应的一个或多个存储器地址、有效数据的第一比特在存储器中的位置；读通道响应于有效数据字节对齐且第一比特不位于存储器中其对应的存储单元的起始位置或非字节对齐，根据一个或多个存储器地址生成一个或多个读命令，并将一个或多个读命令发送给存储器；响应于接收到存储器基于每个读命令所反馈的响应数据，根据第一比特的位置将有效数据与响应数据中的部分数据组合得到第一数据；根据协议信息以及第一数据生成第二数据，将第二数据发送给存储器。

技术领域

本申请一般地涉及存储器领域。更具体地，本申请涉及一种加速器。

背景技术

图1展示了固态存储设备的框图。固态存储设备102同主机相耦合，用于为主机提供存储能力。主机同固态存储设备102之间可通过多种方式相耦合，耦合方式包括但不限于通过例如SATA(Serial Advanced Technology Attachment，串行高级技术附件)、SCSI(Small Computer System Interface，小型计算机系统接口)、SAS(Serial AttachedSCSI，串行连接SCSI)、IDE(Integrated Drive Electronics，集成驱动器电子)、USB(Universal Serial Bus，通用串行总线)、PCIE(Peripheral Component InterconnectExpress,PCIe，高速外围组件互联)、NVMe(NVM Express，高速非易失存储)、以太网、光纤通道、无线通信网络等连接主机与固态存储设备102。主机可以是能够通过上述方式同存储设备相通信的信息处理设备，例如，个人计算机、平板电脑、服务器、便携式计算机、网络交换机、路由器、蜂窝电话、个人数字助理等。存储设备102(下文中，将固态存储设备简称为存储设备)包括接口103、控制部件104、一个或多个NVM芯片105以及DRAM(Dynamic RandomAccess Memory，动态随机访问存储器)110。

上述NVM芯片105包括NAND闪存、相变存储器、FeRAM(Ferroelectric RAM，铁电存储器)、MRAM(Magnetic Random Access Memory，磁阻存储器)、RRAM(Resistive RandomAccess Memory，阻变存储器)等是常见的存储介质。

上述接口103可适配于通过例如SATA、IDE、USB、PCIE、NVMe、SAS、以太网、光纤通道等方式与主机交换数据。

上述控制部件104用于控制在接口103、NVM芯片105以及DRAM 110之间的数据传输，还用于存储管理、主机逻辑地址到闪存物理地址映射、擦除均衡、坏块管理等。控制部件104可通过软件、硬件、固件或其组合的多种方式实现，例如，控制部件104可以是FPGA(Field-programmable gate array，现场可编程门阵列)、ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，应用专用集成电路)或者其组合的形式。控制部件104也可以包括处理器或者控制器，在处理器或控制器中执行软件来操纵控制部件104的硬件来处理IO(Input/Output)命令。控制部件104还可以包括存储控制器，该存储控制器用于耦合到DRAM110，并可访问DRAM 110的数据。

控制部件104包括闪存接口控制器(或称为介质接口、介质接口控制器、闪存通道控制器)，闪存接口控制器耦合到NVM芯片105，并以遵循NVM芯片105的接口协议的方式向NVM芯片105发出命令，以操作NVM芯片105，并接收从NVM芯片105输出的命令执行结果。已知的NVM芯片接口协议包括“Toggle”、“ONFI”等。

NVM存储介质上通常按页来存储和读取数据。而按块来擦除数据。NVM存储介质上的块(也称物理块)包含多个页。存储介质上的页(称为物理页)具有固定的尺寸，例如17664字节。物理页也可以具有其他的尺寸。