[发明专利]具有多层交替石墨烯/透波陶瓷结构的纳米线吸波材料及制备方法在审
申请号: | 202210341523.7 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN114685189A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 叶昉;宋强;梁杰;曹雨宸;张立同 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B41/89 | 分类号: | C04B41/89;H05K9/00 |
代理公司: | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 多层 交替 石墨 陶瓷 结构 纳米 线吸波 材料 制备 方法 | ||
1.一种具有多层交替石墨烯/透波陶瓷结构的纳米线吸波材料,其特征在于:在透波纳米线上原位沉积石墨烯,再在石墨烯上原位沉积透波陶瓷,交替循环形成石墨烯/透波陶瓷多层结构,实现了纳米尺度下高导电相石墨烯和近绝缘透波陶瓷的复合,形成纳米级异质界面,在交变电场下实现了界面极化损耗,有效吸收带宽达到了8.0GHz;所述透波纳米线为长径比为103~104、微结构呈现单晶特征的Si3N4纳米线、长径比为102~103、微结构呈现多晶特征的BN纳米线或长径比为102~103、微结构呈现非晶特征的SiO2纳米线耐高温陶瓷纳米线。
2.一种权利要求1所述具有多层交替石墨烯/透波陶瓷结构的纳米线吸波材料的在制备方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将透波纳米线放入石墨烯沉积炉中,以含C、H和O元素的有机物作为碳源,采用化学气相沉积法在纳米线表面沉积石墨烯,控制工艺参数如下:沉积温度为900~1200℃,炉内压力为5~10kPa,沉积时间为0~60min;
步骤2:将沉积了石墨烯的纳米线材料放入透波陶瓷沉积炉中,控制透波陶瓷的沉积厚度为0~20nm;
步骤3:重复循环步骤1~步骤2,制备出多层交替石墨烯/透波陶瓷结构的纳米线吸波材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述的含C、H和O元素的有机物碳源为CH3OH、C2H5OH或C6H12O6。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述透波相沉积炉为Si3N4沉积炉、BN沉积炉或SiO2沉积炉的耐高温陶瓷材料沉积系统。
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