[发明专利]闪存控制器的验证系统有效
申请号: | 202210340634.6 | 申请日: | 2022-04-02 |
公开(公告)号: | CN114492269B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 薛红军;孙丽华;陈力 | 申请(专利权)人: | 北京得瑞领新科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/331 | 分类号: | G06F30/331;G06F30/333;G11C29/56 |
代理公司: | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人: | 李丽颖 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小口路66号*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 控制器 验证 系统 | ||
本发明涉及一种闪存控制器的验证系统,包括主机操作平台、闪存控制器验证平台和闪存介质仿真平台;主机操作平台用于提供操作页面;生成测试用例配置参数发送至闪存控制器验证平台,选择对应的模型参数,将模型参数和测试条件发送至闪存介质仿真平台,在接收到执行结果后确定闪存控制器验证结果;闪存控制器验证平台用于对测试用例进行配置,生成测试指令发送至闪存介质仿真平台,在接收到执行结果时反馈给主机操作平台;闪存介质仿真平台用于对神经网络模型进行参数配置,得到闪存介质仿真模型,对测试条件配置,通过闪存介质仿真模型执行测试指令,将执行结果反馈至闪存控制器验证平台。本发明不需要闪存介质,验证成本低,验证方便。
技术领域
本发明涉及闪存技术领域,尤其是涉及一种闪存控制器的验证系统。
背景技术
闪存控制器作为存储控制器芯片的重要组成部分,其主要功能是对闪存介质进行操作,在设计阶段需要被充分的验证。因此,需要使用存储介质配合闪存控制器进行功能和性能等各个方面的验证。闪存介质NAND Flash有不同的生产厂家,其特性有所差异,并且相同的NAND Flash在不同的温度、PE次数等条件下也会表现出不同的特性。
常规模式下,需要使用不同的Flash在各种条件下进行测试,这给闪存控制器的验证工作带来了较高的时间和人力成本。
发明内容
为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题,本发明提供了一种闪存控制器的验证系统。
本发明实施例提供一种闪存控制器的验证系统,包括:主机操作平台、闪存控制器验证平台和闪存介质仿真平台;其中:
所述主机操作平台用于:提供操作页面以供人员在操作页面上选择闪存介质型号和测试条件;在获取到人员在所述操作界面上选择的所述闪存介质型号和所述测试条件时,生成测试用例配置参数,将所述测试用例配置参数发送至所述闪存控制器验证平台,根据所述闪存介质型号选择对应的模型参数,将所述模型参数和所述测试条件发送至所述闪存介质仿真平台;在接收到所述闪存控制器验证平台发送来的执行结果后,确定在所述测试用例、所述闪存介质型号和所述测试条件的情况下对应的闪存控制器验证结果;
所述闪存控制器验证平台用于:根据所述主机操作平台发送来的测试用例配置参数,对测试用例进行配置;根据配置完成的所述测试用例生成测试指令,将所述测试指令发送至所述闪存介质仿真平台;在接收到所述闪存介质仿真平台反馈的执行结果时,将所述执行结果反馈给所述主机操作平台;
所述闪存介质仿真平台用于:根据所述主机操作平台发送来的模型参数,对所述闪存介质仿真平台上的神经网络模型进行参数配置,得到所述闪存介质型号对应的闪存介质仿真模型;根据所述主机操作平台发送来的测试条件,对所述闪存介质仿真模型进行测试条件配置;在接收到所述闪存控制器验证平台发送来的所述测试指令时,通过所述闪存介质仿真模型执行所述测试指令,并将所述闪存介质仿真模型的执行结果反馈至所述闪存控制器验证平台。
本发明实施例提供的一种闪存控制器的验证系统,基于数学模型模拟各种闪存介质在不同测试条件下的特性,进行完整验证,该过程不需要物理闪存介质,使得验证成本变低,以及验证更加方便;而且,通过设置的方式配置不同测试条件,比如PE次数、温度等不同,可以模拟测试条件下的闪存特性,使得测试的覆盖面更广,验证更充分。相对于现有技术中采用真实的闪存介质进行验证的方式,本发明不需要高成本的搭建平台,验证成本比较低,验证周期比较短,验证覆盖面比较充分。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中闪存控制器的验证系统的整体结构框图;
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