[发明专利]编码历程信息的存取方法和计算机可读取存储介质和装置

说明书

本发明涉及一种编码历程信息的存取方法、计算机可读取存储介质和装置。该方法包含：写入编码历程信息至闪存模块中的指定超页线的指定第一页面的元数据区段，其中，编码历程信息包含历程轮廓和历程记录，历程轮廓包含超块中所涵盖的区和历程记录的数目，每个历程记录包含指定区的指定超页线中的指定第二页面没有经过引擎编码以产生奇偶校验码的信息。通过编码历程信息，当指定区的指定超页线中出现毁损的页面时得依据编码历程信息以回复毁损的页面。

技术领域

本发明涉及存储装置，特别是，本发明涉及一种编码历程信息的存取方法、计算机可读取存储介质及装置。

背景技术

闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置，中央处理器(Host)可于地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址，并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地，NAND闪存并非随机存取，而是串行存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样，可以存取任何随机地址，中央处理器反而需要写入串行的字节(Bytes)的值到NAND闪存中，用于定义请求命令(Command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。提升闪存模块中存储数据的保护能力，一直是影响闪存控制器的数据安全性的重要课题。因此.本发明提出一种编码历程信息的存取方法、计算机可读取存储介质及装置，用于提升数据安全性。

发明内容

有鉴于此，如何减轻或消除上述相关领域的缺失，实为有待解决的问题。

本发明涉及一种编码历程信息的存取方法，包含：提供多个闪存单元的存储空间所形成的超块；写入编码历程信息至闪存模块中的指定超页线的指定第一页面的元数据区段，其中，编码历程信息包含历程轮廓和历程记录，历程轮廓包含超块中所涵盖的区和历程记录的数目，每个历程记录包含指定区的指定超页线中的指定第二页面没有经过引擎编码以产生奇偶校验码的信息。

本发明还涉及一种计算机可读取存储介质，包含计算机程序。当处理单元加载及执行计算机程序时，实施如上所示的编码历程信息的存取方法。

本发明还涉及一种编码历程信息的存取装置，包含：闪存接口；和处理单元。处理单元用于提供多个闪存单元的存储空间所形成的超块；驱动闪存单元写入编码历程信息至闪存模块中的指定超页线的指定第一页面的元数据区段。

上述实施例的优点之一，通过编码历程信息，当指定区的指定超页线中出现毁损的页面时得依据编码历程信息以回复毁损的页面。

本发明的其他优点将配合以下的说明和说明书附图进行更详细的解说。

附图说明

此处所说明的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为依据本发明实施例的电子装置的系统架构图。

图2为依据本发明实施例的闪存模块的示意图。

图3为依据本发明实施例的逻辑超块的示意图。

图4为依据本发明实施例的逻辑超块和区划分的示意图。

图5为依据本发明实施例的数据写入方法的流程图。

图6为依据本发明实施例的数据写入示例的示意图。

图7为依据本发明实施例的读取错误修正方法的流程图。

其中，附图标记：

10 电子装置

110 主机端

130 闪存控制器

131 主机接口