[发明专利]一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器

权利要求书

1.一种一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，包括输入端IN、单级共源放大电路、输入匹配电路、输出匹配电路、第一去耦电容、第二去耦电容、漏源耦合线以及输出端OUT；

其中，单级共源放大电路为MOS晶体管M1；输入匹配电路包括传输线TL1、TL2、TL3和电容C1；输出匹配电路包括传输线TL4、TL5、TL6和电容C2；第一去耦电容为电容器Cd1；第二去耦电容为电容器Cd2；漏源耦合线包括传输线TL8和传输线TL7。

2.如权利要求1所述的一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，其特征在于：其中，输入匹配电路为T型匹配网络，该T型匹配网络的具体结构为第一电容C1、传输线TL1和TL2依次串联，传输线TL3的第一端连接在传输线TL1和传输线TL2之间，传输线TL3的第二端连接偏置输入Vg；第一去耦电容CD1的两个极板分别连接片上的交流接地端和传输线TL3的第二端。

3.如权利要求1所述的一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，其特征在于：输出匹配电路的传输线TL4和第二电容C2串联，传输线TL5的第一端连接在传输线TL4和第二电容C2之间，传输线TL5的第二端连接传输线TL7的第一端、传输线TL7的第二端连接传输线TL6的第一端，传输线TL6的第二端连接偏置输入Vd；第二去耦电容CD2的两个极板分别连接片上的交流接地端和传输线TL6的第二端。

4.如权利要求1所述的一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，其特征在于：输入匹配电路中第一电容C1的第一极板连接单级低噪声放大器的输入端；输出匹配电路中第二电容C2的第二极板连接单级低噪声放大器的输出端；输入匹配电路中传输线TL2的第二端连接MOS晶体管M1的栅极，输出匹配电路中的传输线TL4的第一端连接MOS晶体管M1的漏极。

5.如权利要求1所述的一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，其特征在于：漏源耦合线CTL1包括传输线TL8和传输线TL7，其中传输线TL8的两端分别连接MOS晶体管M1的源极以及交流接地端；传输线TL7与传输线TL8并排相互靠近设置。

6.如权利要求5所述的一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，其特征在于：传输线TL3、TL5、TL6和TL7选择小于四分之一波长的长度，该波长为电路工作时的输入信号的波长。

7.如权利要求6所述的一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，其特征在于：传输线TL3、TL5、TL6和TL7的长度相同。

8.如权利要求7所述的一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，其特征在于：传输线TL8与传输线TL7构成耦合线且长度相同；传输线TL1、TL2、TL4的长度与传输线TL3、TL5、TL6、TL7和TL8的长度相同。