[发明专利]一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法在审
申请号: | 202210322381.X | 申请日: | 2022-03-30 |
公开(公告)号: | CN114635182A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 周玉兰;陈伟;陈秋华;陈养国;张杨;王昌运 | 申请(专利权)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B15/10;C30B33/02;C30B29/22 |
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地址: | 350003 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 便于 晶体 出炉 生产 提升 装置 方法 | ||
一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法,包括坩埚,圆篮,和用于提升圆篮的挂钩,圆篮设置在坩埚的内部,铂圆篮的底部具有多个支撑脚,底部和侧面具有多个漏孔,圆篮的上部设置有提手,提手的正中间具有“∧”型的凹槽,挂钩通过钩挂提手,将所述圆篮从坩埚中提升。本发明能够确保生长出来的大单晶能顺利出炉,在铂篮底部外侧设置的数个支撑脚,既能够稳当,又能够隔离铂圆篮和坩埚的底部,避免因高温环境中铂圆篮底部与坩埚底大面积粘连导致铂篮提起失败;在铂篮侧面和底部设置多个小漏孔,方便退火时晶体完全脱离剩料,确保晶体的完整性;在铂圆篮上部设置提手,既不影响晶体正常生长,又能固定铂钩,在退火时确保晶体顺利出炉提供保障。
技术领域
本发明涉及晶体生长领域,具体的,涉及一种在熔盐法晶体出炉时便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法,适用于生长大单晶在非正常情况下的退火,尤其是意外掉入生长熔体中的晶体安全出炉。
背景技术
熔盐法是一种从相应组成的熔体中固化成晶体的方法,它具有生长纯度高和晶体完整性好等优点,是目前制备大单晶和特定形状单晶最常用的一种方法,在人工晶体领域中占举足轻重的地位。
熔盐法晶体生长是在高温下从熔融的盐溶剂中生长晶体的一种方法。这种方法特别适宜生长熔点高的晶体,是利用晶体的组分在高温下溶解于低熔点的熔剂中,形成饱和熔体,通过缓慢冷却或在恒定温度下蒸发熔剂,使熔体处于过饱和状态,以便晶体从熔体中不断析出。这一过程是在高温状态下,由籽晶杆固定籽晶导入熔液中进行的。在经过缓慢降温或在恒定温度下蒸发熔剂,熔体析出的组分使籽晶慢慢长大,得到相应的大单晶。
在熔盐法晶体生长过程中及晶体生长完成后提起晶体退火降温时,晶体经常会因为各种各样的因素导致大单晶在籽晶的固定处断裂而掉落到熔体中。在正常的情况,这时的晶体因为失去籽晶杆的支撑而无法脱离助溶剂熔体成分独立降温而前功尽弃。
因此,如何确保在熔盐法中能够成功顺利的提起晶体,避免晶体由于断裂或者其它原因导致的无法脱离助溶剂熔体成分独立降温而导致晶体生长的失败,成为现有技术亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置及提升方法,确保生长出来的大单晶能顺利出炉,特别是在出炉前意外掉入生长熔体中也能一样完好无损出炉。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置,其特征在于:
包括:
坩埚,圆篮,和用于提升圆篮的挂钩,
其中所述圆篮设置在坩埚的内部,并且能够从坩埚的内部中提升,所述圆篮的上部设置有提手,该提手能够绕圆篮旋转,所述挂钩通过钩挂所述提手,将所述圆篮从坩埚中提升。
可选的,所述坩埚和所述圆篮为铂材质,组成铂坩埚套装,包括铂圆筒坩埚和铂圆篮,所述铂圆篮的底部具有多个支撑脚,所述铂坩埚套装呈中心轴对称设置。
可选的,所述支撑脚为2~8个,高度为2~5mm,设置在铂圆篮外侧的底部。
可选的,所述支撑脚为4个,高度为3mm。
可选的,在所述铂圆篮的底部和侧面具有多个漏孔。
可选的,所述提手为半圆形,与提手两端头与铂圆篮呈铰链连接。
可选的,所述提手能够180度转动,180度转动的范围为水平→向上垂直→水平方向,在水平状态时所述提手位于铂圆篮壁内侧,并且与铂圆篮壁距离2~3mm。
可选的,在所述提手的正中间具有“∧”型的凹槽,所述挂杆能够与所述“∧”型的凹槽形成吻合固定。
本发明进一步公开了一种利用上述的晶体生产及提升装置进行晶体生长和提升的方法,具体包括如下步骤:
晶体生长步骤S110:
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