[发明专利]一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置和方法

权利要求书

1.一种便于晶体出炉的晶体生产及提升装置，其特征在于：包括：坩埚，圆篮，和用于提升圆篮的挂钩，其中所述圆篮设置在坩埚的内部，并且能够从坩埚的内部中提升，所述圆篮的上部设置有提手，该提手能够绕圆篮旋转，所述挂钩通过钩挂所述提手，将所述圆篮从坩埚中提升。

2.根据权利要求1所述的晶体生产及提升装置，其特征在于：所述坩埚和所述圆篮为铂材质，组成铂坩埚套装，包括铂圆筒坩埚和铂圆篮，所述铂圆篮的底部具有多个支撑脚，所述铂坩埚套装呈中心轴对称设置。

3.根据权利要求2所述的晶体生产及提升装置，其特征在于：所述支撑脚为2～8个，高度为2～5mm，设置在铂圆篮外侧的底部。

4.根据权利要求3所述的晶体生产及提升装置，其特征在于：所述支撑脚为4个，高度为3mm。

5.根据权利要求3所述的晶体生产及提升装置，其特征在于：在所述铂圆篮的底部和侧面具有多个漏孔。

6.根据权利要求5所述的晶体生产及提升装置，其特征在于：所述提手为半圆形，提手两端头与铂圆篮呈铰链连接。

7.根据权利要求6所述的晶体生产及提升装置，其特征在于：所述提手能够180度转动，180度转动的范围为水平→向上垂直→水平方向，在水平状态时所述提手位于铂圆篮壁内侧，并且与铂圆篮壁距离2～3mm。

8.根据权利要求7所述的晶体生产及提升装置，其特征在于：在所述提手的正中间具有“∧”型的凹槽，所述挂杆能够与所述“∧”型的凹槽形成吻合固定。

9.一种利用权利要求8所述的晶体生产及提升装置进行晶体生长和提升的方法，具体包括如下步骤：

晶体生长步骤S110:

往内置铂圆篮的坩埚套装内倒入配置好的晶体原料,装满晶体原料的铂坩埚套装放置熔盐法炉膛中，升温使原料充分融熔，恒温24h；降温到晶体结晶点温度，用籽晶杆固定籽晶，引入熔体，启动晶体生长程序至晶体正常生长到预定尺寸；

圆篮提升步骤S120：

当晶体掉到铂圆篮内时，提出籽晶杆，用备用的挂钩勾住铂圆篮可活动的提手正中间的小“∧”状处，使铂圆篮提手从水平状态90℃向上转动呈垂直状态，再缓慢提起，直至脱离熔体液面，缓慢提起挂钩后将挂钩固定在籽晶杆支架上，继续完成退火程序，直至室温，晶体出炉。

10.根据权利要求9所述的晶体生长和提升的方法，其特征在于：所述圆篮提升步骤S120还包括：当晶体提升并预备晶体掉落时，用备用的挂钩勾住铂圆篮的可活动的提手正中间的小“∧”状处进行提升，使提手在晶体和埚壁之间的空隙缓慢越过晶体，在提起的铂圆篮位于熔液液面上方、晶体正下方位置时，把挂钩固定在籽晶杆支架上，继续完成退火程序。