[发明专利]通孔填充方法及通孔填充装置

权利要求书

1.一种通孔填充方法，其特征在于，包括以下步骤：

刻蚀基体：在基体上刻蚀通孔，所述通孔的底壁为第一表面，所述通孔的侧壁为第二表面；

形成第一填充层：使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层；

形成第二填充层：使用CVD工艺将第二前驱体导向所述通孔内以形成第二填充层。

2.根据权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述形成第一填充层的步骤和所述形成第二填充层的步骤交替重复进行多次。

3.根据权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述刻蚀基体的步骤具体包括：

提供基体；

刻蚀所述基体以得到第一孔；

将抑制剂导向所述第一孔的侧壁以钝化所述第一孔的侧壁；

刻蚀所述第一孔的底壁以得到第二孔；

将抑制剂导向所述第二孔的侧壁以钝化所述第二孔的侧壁；

刻蚀所述第二孔的底壁以得到第三孔；

多次重复上述步骤，最后得到的第二孔或第三孔即为所述通孔，所述通孔的

底壁为第一表面，通孔的侧壁为第二表面。

4.根据权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述基体的顶部端面为第三表面，所述刻蚀基体的步骤具体包括，在基体上刻蚀通孔，通孔的底壁为第一表面，通孔的侧壁为第二表面，将抑制剂导向所述第三表面以钝化所述第三表面，以在所述第三表面形成钝化层。

5.根据权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述第一前驱体为磁性前驱体，所述形成第一填充层的步骤还包括，对所述第一前驱体施加磁场。

6.根据权利要求5所述的通孔填充方法，其特征在于，所述磁场的强度为0.1T～10T。

7.根据权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述第一前驱体为极性前驱体，所述形成第一填充层的步骤还包括，对所述第一前驱体施加电场。

8.根据权利要求7所述的通孔填充方法，其特征在于，所述电场的电压为1V～1000V。

9.根据权利要求7所述的通孔填充方法，其特征在于，对所述第一前驱体施加电场的步骤具体包括将所述基体放置于密封的反应室内，所述反应室具有与进气设备连通的气流入口，以及与抽气设备连通的抽气口，所述反应室内设有间隔设置的第一导电极板和第二导电极板，所述第一导电极板和所述第二导电极板分别与电源的正极和负极电连接，所述基体放置于所述第一导电极板或所述第二导电极板上。

10.根据权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述形成第一填充层的步骤和所述形成第二填充层的步骤均在真空环境下进行。

11.根据权利要求10所述的通孔填充方法，其特征在于，所述真空环境的真空度为1000Pa～10-5Pa。

12.根据权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述形成第一填充层的步骤具体为：

将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面，所述第一前驱体在所述第一表面和所述第二表面上发生化学吸附和反应；

将共反应物导向所述第一表面和所述第二表面，所述第一前驱体与所述共反应物进一步反应以在所述第一表面和所述第二表面形成第一填充层。

13.根据权利要求12所述的通孔填充方法，其特征在于，所述将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面，所述第一前驱体在所述第一表面和所述第二表面上发生化学吸附和反应的步骤和所述将共反应物导向所述第一表面和所述第二表面，所述第一前驱体与所述共反应物进一步反应的步骤交替重复多次，以在所述第一表面和所述第二表面形成第一填充层。