[发明专利]发光装置、投影仪以及显示器在审

专利信息
申请号: 202210309741.2 申请日: 2022-03-28
公开(公告)号: CN115149390A 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 小林幸一;宫田崇 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01S5/02253 分类号: H01S5/02253;H01S5/0232;H01S5/02345;H01S5/024;H01S5/065;H01S5/20
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 马建军;方冬梅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 投影仪 以及 显示器
【说明书】:

本发明提供发光装置、投影仪以及显示器,能够遮挡从层叠体的俯视时与第一电极的外缘重叠的部分射出的光。发光装置具有:基板;层叠体,其设置于所述基板,具有发光层;第一电极,其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触,向所述发光层注入电流;以及布线层,其与所述第一电极电连接,对所述发光层中产生的光具有遮光性,在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部,所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。

技术领域

本发明涉及发光装置、投影仪以及显示器。

背景技术

半导体激光器作为高亮度的下一代光源而受到期待。特别是,应用了纳米柱的半导体激光器由于纳米柱带来的光子晶体的效果,期待能够以窄放射角实现高输出的发光。

例如在专利文献1中记载了具备多个纳米柱的半导体光元件阵列,该多个纳米柱由包含n型AlGaN等n型包覆层的微细柱状晶体、活性层、以及包含p型AlGaN等p型包覆层的p型半导体层构成。在多个纳米柱上设置有p侧电极。

专利文献1:日本特开2013-239718号公报

在具有多个纳米柱的半导体光元件阵列中,存在俯视时与p侧电极的外缘重叠的纳米柱。这样的纳米柱例如有时因形成p侧电极时的过蚀刻而被削减。

发明内容

本发明的发光装置的一个方式具有:基板;层叠体,其设置于所述基板,具有发光层;第一电极,其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触,向所述发光层注入电流;以及布线层,其与所述第一电极电连接,对所述发光层中产生的光具有遮光性,在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部,所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。

本发明的投影仪的一个方式具有所述发光装置的一个方式。

本发明的显示器的一个方式具有所述发光装置的一个方式。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。

图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的俯视图。

图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。

图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。

图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。

图6是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。

图7是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的剖视图。

图8是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的俯视图。

图9是示意性地示出本实施方式的投影仪的图。

图10为示意性地表示本实施方式的显示器的俯视图。

图11为示意性地表示本实施方式的显示器的剖视图。

标号说明

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