[发明专利]发光装置、投影仪以及显示器在审
申请号: | 202210309741.2 | 申请日: | 2022-03-28 |
公开(公告)号: | CN115149390A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 小林幸一;宫田崇 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01S5/02253 | 分类号: | H01S5/02253;H01S5/0232;H01S5/02345;H01S5/024;H01S5/065;H01S5/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 马建军;方冬梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 投影仪 以及 显示器 | ||
本发明提供发光装置、投影仪以及显示器,能够遮挡从层叠体的俯视时与第一电极的外缘重叠的部分射出的光。发光装置具有:基板;层叠体,其设置于所述基板,具有发光层;第一电极,其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触,向所述发光层注入电流;以及布线层,其与所述第一电极电连接,对所述发光层中产生的光具有遮光性,在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部,所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。
技术领域
本发明涉及发光装置、投影仪以及显示器。
背景技术
半导体激光器作为高亮度的下一代光源而受到期待。特别是,应用了纳米柱的半导体激光器由于纳米柱带来的光子晶体的效果,期待能够以窄放射角实现高输出的发光。
例如在专利文献1中记载了具备多个纳米柱的半导体光元件阵列,该多个纳米柱由包含n型AlGaN等n型包覆层的微细柱状晶体、活性层、以及包含p型AlGaN等p型包覆层的p型半导体层构成。在多个纳米柱上设置有p侧电极。
专利文献1:日本特开2013-239718号公报
在具有多个纳米柱的半导体光元件阵列中,存在俯视时与p侧电极的外缘重叠的纳米柱。这样的纳米柱例如有时因形成p侧电极时的过蚀刻而被削减。
发明内容
本发明的发光装置的一个方式具有:基板;层叠体,其设置于所述基板,具有发光层;第一电极,其在所述层叠体的与所述基板相反的一侧与所述层叠体接触,向所述发光层注入电流;以及布线层,其与所述第一电极电连接,对所述发光层中产生的光具有遮光性,在所述布线层设置有供从所述层叠体射出的光通过的第一开口部,所述第一开口部在俯视时位于所述第一电极的外缘的内侧。
本发明的投影仪的一个方式具有所述发光装置的一个方式。
本发明的显示器的一个方式具有所述发光装置的一个方式。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
图2是示意性地表示本实施方式的发光装置的俯视图。
图3是示意性地表示本实施方式的发光装置的剖视图。
图4是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图5是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图6是示意性地表示本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
图7是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的剖视图。
图8是示意性地表示本实施方式的变形例的发光装置的俯视图。
图9是示意性地示出本实施方式的投影仪的图。
图10为示意性地表示本实施方式的显示器的俯视图。
图11为示意性地表示本实施方式的显示器的剖视图。
标号说明
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