[发明专利]一种晶圆缺口检测电路及装置在审

专利信息
申请号: 202210302115.0 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114690026A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 于静;王文举;田知玲;廉金武;赵磊;郭益言 申请(专利权)人: 北京烁科精微电子装备有限公司
主分类号: G01R31/311 分类号: G01R31/311;G01N21/95
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李静玉
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 缺口 检测 电路 装置
【说明书】:

发明公开了一种晶圆缺口检测电路及装置,该电路包括:发射电路和接收电路,发射电路包括预设个数的发光电路,接收电路包括和发光电路对应设置的预设个数的发光检测电路,每个发光电路和发光检测电路分别用于检测不同规格的晶圆,且分别设置在待测晶圆的两侧;发光电路发出红外光信号照射至待测晶圆边缘,发光检测电路接收经过待测晶圆的红外光信号,生成晶圆缺口模拟检测信号输出。通过实施本发明,在发射电路中设置发光电路,在接收电路中设置发光检测电路,由发光检测电路对发光电路发出的红外光信号进行检测生成晶圆缺口模拟检测信号,从而可以实现对晶圆缺口的检测。发光电路和发光检测电路设置多个,实现了对多种不同规格的晶圆进行检测。

技术领域

本发明涉及晶圆检测技术领域,具体涉及一种晶圆缺口检测电路及装置。

背景技术

在集成电路的制造工艺中,对晶圆的镀膜是一道重要而又频繁的环节;而在将晶圆送入镀膜反应腔前,需对晶圆进行定位,以确保每一片晶圆工艺的均一性。另外,半导体制造工艺中,光刻机、全自动探针台、全自动划片机以及单晶圆清洗机等等设备,都需要对晶圆定位。其中,晶圆的定位主要包括对晶圆缺口的定位。

目前,对晶圆的定位方法为在晶圆缺口设定位置的正上方安装激光发生器,在晶圆缺口设定位置的正下方安装CCD传感器,CCD传感器通过接收穿过晶圆缺口的激光来判断晶圆的缺口位置。但是,采用CCD传感器智能对单一规格的晶圆缺口进行检测,无法实现对目前市场上的多种规格的晶圆进行缺口检测。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种晶圆缺口检测电路及装置,以解决现有技术提供的无法对多种规格的晶圆进行缺口检测的技术问题。

本发明实施例提供的技术方案如下:

本发明实施例第一方面提供一种晶圆缺口检测电路,该电路包括:发射电路和接收电路,所述发射电路包括预设个数的发光电路,所述接收电路包括和所述发光电路对应设置的预设个数的发光检测电路,每个发光电路和对应设置的发光检测电路分别用于检测不同规格的晶圆,且分别设置在待测晶圆的两侧;所述发光电路发出红外光信号照射至待测晶圆边缘,所述发光检测电路接收经过待测晶圆的红外光信号,生成晶圆缺口模拟检测信号输出。

可选地,所述发光电路包括:第一三极管和第一二极管,所述第一三极管的基极接收外部输入的控制信号,所述第一三极管的集电极连接所述第一二极管的正极,所述第一三极管的发射极连接外部电源,所述第一二极管的负极连接所述发光电路的输出端。

可选地,所述发射电路还包括:反馈电路,所述反馈电路连接在所述发光电路的末端,用于控制所述二极管工作在额定电流状态。

可选地,所述反馈电路包括:第二三极管、第三三极管、第一功率放大器和取样电阻,所述第二三极管的基极接收外部输入的控制信号,所述第二三极管的集电极连接所述第一功率放大器的同相输入端,所述第二三极管的发射极连接外部电源,所述第一功率放大器的反相输入端连接所述取样电阻的一端以及所述第三三极管的源极,所述取样电阻的另一端接地,所述第一功率放大器的输出端连接所述第三三极管的栅极,所述第三三极管的漏极连接所述发光电路的输出端。

可选地,当需要检测任一规格的待测晶圆时,待测晶圆对应的发光电路输入低电平的控制信号,其他发光电路输入高电平的控制信号。

可选地,所述发光检测电路包括:第二二极管和第二功率放大器,所述第二二极管的正极连接所述第二功率放大器的同相输入端,所述第二二极管的负极连接所述第二功率放大器的反相输入端,所述第二功率放大器的输出端连接所述发光检测电路的输出端。

可选地,所述接收电路还包括:输出控制电路,所述输出控制电路包括多个控制开关电路,所述控制开关电路连接在每个发光检测电路的输出端和所述接收电路的输出端之间,当需要检测任一规格的待测晶圆时,待测晶圆对应的发光检测电路的控制开关电路开启。

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