[发明专利]一种AgI-AgPO3

权利要求书

1.一种AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃制备方法，其特征在于，方法包括：

将AgI、AgPO₃和M_pO_q的混合物置于高温反应条件下的反应容器中进行熔融，所得熔融液浇注于铜模具中冷却成型，成型材料置于150-200℃条件下进行退火处理制备所述透明导电玻璃；

所述M_pO_q选自WO₃；

所述高温反应条件包括：空气或氧气气氛下，600-700℃条件下进行第一次保温，然后升温至900-1000℃后进行第二次保温，之后降温至700-800℃；

所述反应容器选自石英坩埚、铂金坩埚、黄金坩埚或氧化铝陶瓷坩埚；所述AgI、AgPO₃和M_pO_q的摩尔比范围为a:b:c，其中0a≤50，40≤b≤90，0c≤10。

2.如权利要求1所述的AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃制备方法，其特征在于，所述AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃在1MHz测试频率下的电导率4×10^-2S/m，紫外截止边450nm，750nm波长处的透过率80％，玻璃化转变温度150℃，化学稳定性二级。

3.如权利要求1所述的AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃制备方法，其特征在于，进一步还包括，在所述AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃单面或双面镀膜，所述膜材料为SiO₂，镀膜方法为离子束辅助热蒸镀法。

4.如权利要求3所述的AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃制备方法，其特征在于，离子束辅助热蒸镀法条件为：靶材的温度为60-100℃、离子源注入O₂流量为0-20sccm、离子源注入氩气流量为0-10sccm、SiO₂蒸发速率为0.1-1.0nm·s^-1、SiO₂镀膜厚度为100-1000nm。

5.如权利要求3所述的AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃制备方法，其特征在于，所述AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃在750nm波长处的透过率最大为87％。

6.如权利要求1所述的AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃制备方法，其特征在于，进一步还包括，先在所述AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃单面或双面镀第一层膜，接着在第一层膜表面镀第二层膜，所述第一层膜材料为SiO₂，第二层膜材料为ZrO₂，第一层镀膜方法为离子束辅助热蒸镀法，第二层镀膜方法为离子辅助热蒸镀法。

7.如权利要求6所述的AgI–AgPO₃-M_pO_q体系透明导电玻璃制备方法，其特征在于，所述第一层镀膜条件采用权利要求4所述条件；第二层镀膜的条件为：离子源注入O₂流量为0-20sccm、离子源注入氩气流量为0-20sccm；ZrO₂蒸发速率为0.1-0.8nm·s^-1；ZrO₂镀膜厚度为100-900nm。