[发明专利]碳包覆硅铁负极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种碳包覆硅铁负极材料，其特征在于，包括硅铁合金粉末、锡基导电氧化物层和碳包覆层，所述锡基导电氧化物层包覆于所述硅铁合金粉末表面，所述碳包覆层包覆于所述锡基导电氧化物层表面。

2.根据权利要求1所述的碳包覆硅铁负极材料，其特征在于，所述硅铁合金粉末的粒径为1μm～10μm。

3.根据权利要求1所述的碳包覆硅铁负极材料，其特征在于，所述硅铁合金粉末为工业硅铁合金，所述工业硅铁合金的Si含量≥75wt％。

4.一种碳包覆硅铁负极材料的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至3中任一项所述的碳包覆硅铁负极材料，所述碳包覆硅铁负极材料的制备方法包括如下步骤：

获取硅铁合金粉末、镧氧化物和锡氧化物；

对所述硅铁合金粉末进行气流粉碎处理；

将所述锡氧化物和所述镧氧化物进行煅烧操作，得到所述锡基导电氧化物前驱体；

对所述锡基导电氧化物前驱体进行纳米球磨处理；

对所述硅铁合金粉末和所述锡基导电氧化物前驱体进行混合干燥操作，得到锡基导电氧化物包覆硅铁合金；

将所述锡基导电氧化物包覆硅铁合金进行碳包覆操作，得到碳包覆硅铁负极材料。

5.根据权利要求4所述的碳包覆硅铁负极材料的制备方法，其特征在于，所述将所述锡基导电氧化物包覆硅铁合金进行碳包覆操作的步骤具体为：将所述锡基导电氧化物包覆硅铁合金加入CVD气相包覆炉，向CVD气相包覆炉通入氮气和乙炔气的混合气体，接着，进行气相化学沉积，以使所述锡基导电氧化物包覆硅铁合金表面沉积碳而形成碳包覆层。

6.根据权利要求5所述的碳包覆硅铁负极材料的制备方法，其特征在于，在温度为900℃～1000℃下进行气相化学沉积，沉积时间为2h～3h。

7.根据权利要求4所述的碳包覆硅铁负极材料的制备方法，其特征在于，纳米球磨处理后的所述锡基导电氧化物前驱体的粒径小于100nm。

8.根据权利要求4所述的碳包覆硅铁负极材料的制备方法，其特征在于，在温度为1000℃～1200℃条件下，将锡氧化物和镧氧化物进行煅烧操作。

9.根据权利要求4所述的碳包覆硅铁负极材料的制备方法，其特征在于，所述锡基导电氧化物包覆硅铁合金中的所述锡基导电氧化物前驱体的含量为0.5wt％～3wt％。

10.根据权利要求4所述的碳包覆硅铁负极材料的制备方法，其特征在于，在所述将所述锡氧化物和所述镧氧化物进行煅烧操作的步骤之后，且在所述对所述硅铁合金粉末和所述锡基导电氧化物前驱体进行混合干燥操作的步骤之前，所述碳包覆硅铁负极材料的制备方法还包括如下步骤：

采用分散剂对所述锡基导电氧化物前驱体进行纳米球磨处理。