[发明专利]一种基于电容反馈的超导单光子成像电路及方法在审
申请号: | 202210292679.0 | 申请日: | 2022-03-24 |
公开(公告)号: | CN114705290A | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 张蜡宝;刘卓君;王志豪 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 颜盈静 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电容 反馈 超导 光子 成像 电路 方法 | ||
本发明公开了一种基于电容反馈的超导单光子成像电路及方法,采用透镜和光纤作为光学对位系统,将外界待测光汇聚到超导纳米线单光子探测器(简称SNSPD)光敏区域;采用阵列超导纳米线单光子探测器作为光电转换器,探测光信号并转换成电信号;采用基于电容反馈跨阻放大器(简称CTIA)的成像电路,对阵列SNSPD各像元响应的电信号分别进行积分,得到响应的积分电压,最后根据阵列SNSPD各像元不同的积分电压值得到一幅灰度图像。
技术领域
本发明属于超导纳米光探测技术领域,具体为一种基于电容反馈的超导单光子成像电路及方法。
背景技术
超导纳米线单光子探测器(简称SNSPD)是一种新型的单光子探测器,具有高探测效率、低暗计数、低时间抖动、宽响应光谱等优点,在卫星测距、深空通信、生物成像、激光雷达等领域中有着重要的应用。SNSPD的感光部分为使用超导薄膜材料制成的纳米线蜿蜒结构。SNSPD工作时被置于极低温度(百mK~几K)下,其处于超导态(0电阻态),同时被施加稍低于其超导临界电流(IC)的电流IB。当SNSPD未探测到光子时,电流IB经纳米线直接泄放到地。当SNSPD探测到光子时,超导库珀对被打散成为准粒子,在纳米线局部区域形成热岛,并扩散形成一整段电阻区域阻止电流传输,该过程中纳米线上的电流ID由IB减小到0;通过纳米线和衬底散热,温度较高的电阻区域逐渐缩小最终消失,该过程中ID由0逐渐增大到IB。
目前的阵列SNSPD包括2×2的4像元器件、4×4的16像元器件、32×32的1024像元器件等等,随着探测器的像元数增加,信号的读出便成为难题。传统的直接读出电路结构简单,但随着SNSPD像元数增加,电路体积较大并且功耗较高,因此不适用于大阵列器件。现有的行列读出电路已经被用于大阵列SNSPD的读出,但其对于双光子同时到达的情况会产生歧义,从而限制阵列的最大计数率,此外光子响应时电流再分配会使输出信号变小。
电容反馈跨阻放大器结构读出电路在铟镓砷64×64像元红外探测器、GaN基640×8像元紫外探测器、Nb5N6太赫兹探测器等阵列光电探测器均有应用。CTIA电路能够对μA、nA量级电流信号做积分,其优点是噪声低且积分线性度好。
发明内容
发明目的:为解决目前针对大阵列SNSPD的信号读出电路存在的缺陷,本发明提出了一种基于电容反馈的超导单光子成像电路及方法。
技术方案:一种基于电容反馈的超导单光子成像电路,包括图像模块和N个单元CTIA电路;阵列超导纳米线单光子探测器上的每个像元分别与单元CTIA电路直连,所述单元CTIA电路将与其相连的像元的输出脉冲电流作为其输入电流;
每个所述的单元CTIA电路均包括反馈电容,所述反馈电容用于对单元CTIA电路的输入电流进行积分,得到输出电压值,表示为Vout=Vref-Q/Cf;式中,Q为单元CTIA电路输入电流的电荷量,Vref为单元CTIA电路的参考电压,Cf为反馈电容容值;
所述图像模块,用于根据N个单元CTIA电路的输出电压,得到一幅对应的灰度图像。
进一步的,每个所述的单元CTIA电路还包括一运算放大器,所述运算放大器的负输入端输入待积分的电流,运算放大器的正输入端输入参考电压;且反馈电容的一端与运算放大器的负输入端连接,反馈电容的另一端与运算放大器的输出端连接。
进一步的,所述单元CTIA电路积分增益的大小由反馈电容决定。
进一步的,每个所述的单元CTIA电路还包括一开关,所述开关与反馈电容并联,当开关打开时,单元CTIA电路处于工作状态,对单元CTIA电路的输入电流进行积分;当开关闭合时,单元CTIA电路处于复位状态。
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