[发明专利]电流修调电路在审

专利信息
申请号: 202210288852.X 申请日: 2022-03-22
公开(公告)号: CN114637368A 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 张兆华 申请(专利权)人: 汇春科技(成都)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 荣颖佳
地址: 610000 四川省成都市高新区中国*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电流 电路
【权利要求书】:

1.一种电流修调电路,其特征在于,所述电流修调电路包括:依次连接的基准电流输出电路、第一电流等分电路、第一镜像电路、第二电流等分电路和第二镜像电路;

所述基准电流输出电路用于根据带隙基准输出电压,向所述第一电流等分电路输出基准电流;

所述第一电流等分电路用于对所述基准电流进行等分,向所述第一镜像电路输出第一数量的第一等分电流;

所述第一镜像电路用于对所述第一数量的支路电流进行镜像,向所述第二电流等分电路输出第一数量的第一镜像电流;

所述第二电流等分电路用于将第一数量的第一镜像电流进行等分,得到第二数量的第二等分电流,向所述第二镜像电路输出一个第二等分电流;所述第二数量为所述第一数量乘以指定倍数;

所述第二镜像电路用于将所述第二等分电流进行镜像,得到第三数量的第二镜像电流,将所述第二镜像电流作为所述基准电流的修调电流。

2.根据权利要求1所述的电流修调电路,其特征在于,所述基准电流输出电路包括:运算放大器、自启动电路和电流输出电路;

所述运算放大器的同相输入端连接带隙基准输出电压,反相输入端和输出端均连接所述自启动电路,以构成一条反馈回路;所述运算放大器的输出端和所述自启动电路均连接所述电流输出电路;

所述自启动电路用于加速所述反馈回路的建立;

所述电流输出电路用于向所述第一电流等分电路输出基准电流。

3.根据权利要求2所述的电流修调电路,其特征在于,所述自启动电路包括:缓冲器和第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管;

所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极均连接模拟电源电压AVCC;所述第一PMOS管的栅极和源极相连,连接所述第二NMOS管的漏极、第二PMOS管的源极以及所述缓冲器的输入端;所述第二PMOS管的源极连接所述第一PMOS管的栅极和源极、第二NMOS管的漏极以及所述缓冲器的输入端;所述第一NMOS管的漏极连接所述运算放大器的输出端;所述第一NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极;所述第三NMOS管的栅极连接所述缓冲器的输出端;所述第三NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的源极;所述第三NMOS管的源极连接模拟接地电压VSSA。

4.根据权利要求3所述的电流修调电路,其特征在于,所述电流输出电路包括:第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第一电阻;

所述第三PMOS管、所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的栅极均连接所述运算放大器的输出端;所述第三PMOS管、所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的漏极均连接所述AVCC;所述第三PMOS管的源极连接所述第四NMOS管的漏极;所述第四PMOS管的源极连接所述第五NMOS管的漏极;所述第五PMOS管的源极连接第六NMOS管的漏极;所述第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管的栅极均连接所述基准电压VREF1;所述第四NMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极;所述第四NMOS管的源极经所述第一电阻连接所述VSSA;所述第五NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极;所述第五NMOS管的源极向所述第一电流等分电路输出待修调基准电流;所述第六NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的源极;所述第六NMOS管的源极连接未修调基准电流。

5.根据权利要求4所述的电流修调电路,其特征在于,所述第一电流等分电路包括:第一数量的并联的第一NMOS管对;所述第一NMOS管对包括两个串联的NMOS管;

每个所述第一NMOS管对中,一NMOS管的漏极连接所述待修调基准电流,源极与另一NMOS管的漏极连接;另一NMOS管的源极输出第一等分电流;另一NMOS管的栅极由第一使能端控制;

所述并联的第一NMOS管对中,所有对应的NMOS管的栅极均相连。

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