[发明专利]双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺及应用

权利要求书

1.一种双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤S1：清洗玻璃(5)

使用弱碱性或中性的洗剂对玻璃(5)的上下两个表面进行清洁；

步骤S2：设置UV-Cut涂层

使用淋涂、喷涂或蒸镀工艺在玻璃(5)上表面和下表面分别形成UV-Cut涂层，玻璃(5)的上表面为上UV-Cut涂层(4)，玻璃(5)的下表面为下UV-Cut涂层(6)；

步骤S3：制备ITO玻璃

通过磁控溅射工艺，将ITO镀膜在上UV-Cut涂层(4)和下UV-Cut涂层(6)的表面，通过调整磁控溅射的条件控制ITO镀膜厚度得到所需方阻的ITO玻璃；

步骤S4：双面涂布光刻胶

在ITO玻璃的A面和B面同时涂布光刻胶，然后进行烘烤，烘烤温度为60℃～120℃，烘烤时间为10min～30min；

步骤S5：ITO玻璃的双面曝光、显影

将设计好的A面和B面的玻璃光罩精密曝光机中，对双面涂布有光刻胶的ITO玻璃进行双面曝光，曝光后在显影液中进行显影，将A面和B面ITO pattern显影出来，再经过水洗、风干后，将ITO玻璃表面液体干燥完毕；

步骤S6：ITO玻璃的双面蚀刻

将ITO玻璃的A面和B面置于蚀刻液进行双面蚀刻，去掉面内pattern不需要的ITO，留下面内pattern需要的ITO；经过水洗、风干后再在剥膜液中将双面的光刻胶剥离除去，经过水洗、风干后得到上面内pattern(2)和下面内pattern(7)的ITO玻璃；

步骤S7：印刷和镭射上边缘走线(3)和下边缘走线(8)

在A面ITO Pattern边缘通过丝网印刷技术印刷银浆，并进行烘烤，形成具有厚度的块状银浆，再通过高精度镭射机镭射出具有线宽线距的线路，得到上边缘走线(3)；再在B面ITO Pattern边缘通过丝网印刷技术印刷银浆，并进行烘烤，形成具有厚度的块状银浆，再通过高精度镭射机镭射出具有线宽线距的线路，得到下边缘走线(8)；

烘烤温度均为120℃～140℃，烘烤时间均为10min～30min；

步骤S8：印刷可剥胶

在A面通过丝网印刷技术印刷可剥胶，并进行烘烤，形成具有厚度的上可剥胶(1)，再在B面通过丝网印刷技术印刷可剥胶，并进行烘烤，形成具有厚度的下可剥胶(9)；

烘烤温度均为在120℃～150℃，烘烤时间均为10min～30min。

2.根据权利要求1所述的双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺，其特征在于：步骤S1中玻璃(5)采用强化后的纳钙玻璃或者铝硅玻璃，强化应力在400MPa以上，强化深度为8～15μm，玻璃厚度为0.2mm～1.1mm。

3.根据权利要求1所述的双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺，其特征在于：步骤S2中上UV-Cut涂层(4)和下UV-Cut涂层(6)具有UV光截止功能，在190nm～380nm波段，上UV-Cut涂层(4)和下UV-Cut涂层(6)的透过率为0。

4.根据权利要求1所述的双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺，其特征在于：步骤S3中ITO的镀膜厚度为20nm～60nm，方阻为30Ω/□～100Ω/□。

5.根据权利要求1所述的双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺，其特征在于：步骤S4中光刻胶的涂布厚度为1μm～5μm。

6.根据权利要求1所述的双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺，其特征在于：步骤S6中的蚀刻液为36％电子级HCl和5％～68％电子级HNO₃配制成的王水或者FeCl₃。

7.根据权利要求1所述的双面同时曝光、显影、蚀刻的玻璃sensor制备工艺，其特征在于：步骤S7中银浆的厚度为5μm～9μm，线宽线距为10μm/10μm～40μm/40μm。