[发明专利]多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法及装置

权利要求书

1.一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法，其特征在于，包括：

定义待刻蚀对象的结构信息，所述待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层；

定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数；

定义不同深度的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围，所述左侧发射源和所述右侧发射源各自用于从左侧、右侧入射刻蚀粒子；

根据刻蚀时间和待刻蚀对象的结构信息确定要入射的刻蚀粒子的个数；

向所述待刻蚀对象依次入射刻蚀粒子直至刻蚀粒子耗尽，对于每个刻蚀粒子，执行以下操作：计算所述待刻蚀对象上接收所述刻蚀粒子的轰击位置，判断所述轰击位置的原子特性，根据原子特性选择不同的刻蚀函数，当满足刻蚀函数的去除条件时，将所述轰击位置的原子去除，最终得到基本刻蚀轮廓。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中定义待刻蚀对象的结构信息，包括：

设定待刻蚀对象的位置坐标、叠层的层数、叠层的关键尺寸、叠层中锗化硅层厚度和硅层厚度、STI深度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中定义不同深度的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围，包括：

根据每个叠层的深度与STI深度的比例，分别确定每个叠层一一对应的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中对于每个刻蚀粒子，计算所述待刻蚀对象上接收所述刻蚀粒子的轰击位置，包括：

以发射源的位置坐标作为入射的刻蚀粒子的初始坐标；

在发射源的入射角范围内为入射的刻蚀粒子匹配一个入射角度；

根据刻蚀粒子的初始坐标、入射角度以及所述待刻蚀对象的每个横坐标，计算对应于每个横坐标的纵坐标，以便确定轰击位置。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

对于左侧入射的刻蚀粒子，从左向右遍历所述待刻蚀对象的每个横坐标，计算对应于每个横坐标的纵坐标；

对于右侧入射的刻蚀粒子，从右向左遍历所述待刻蚀对象的每个横坐标，计算对应于每个横坐标的纵坐标。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

得到基本刻蚀轮廓后，仿真所述硅层的角损伤和上边缘损伤。

7.一种多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真装置，其特征在于，包括：

初始化定义模块，用于定义待刻蚀对象的结构信息，所述待刻蚀对象包括硅衬底及其上方的多个由锗化硅层/硅层依次堆叠的叠层，定义锗化硅层和硅层各自的刻蚀函数，以及定义不同深度的左侧发射源和右侧发射源的位置坐标和入射角范围，所述左侧发射源和所述右侧发射源各自用于从左侧、右侧入射刻蚀粒子；

粒子数确定模块，用于根据刻蚀时间和待刻蚀对象的结构信息确定要入射的刻蚀粒子的个数；

基本刻蚀仿真模块，用于向所述待刻蚀对象依次入射刻蚀粒子直至刻蚀粒子耗尽，对于每个刻蚀粒子，执行以下操作：计算所述待刻蚀对象上接收所述刻蚀粒子的轰击位置，判断所述轰击位置的原子特性，根据原子特性选择不同的刻蚀函数，当满足刻蚀函数的去除条件时，将所述轰击位置的原子去除，最终得到基本刻蚀轮廓。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

硅损伤仿真模块，用于得到基本刻蚀轮廓后，仿真所述硅层的角损伤和上边缘损伤。

9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至6任一所述的多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法。

10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任一所述的多叠层结构的原子层刻蚀工艺仿真方法。