[发明专利]智能功率模块及控制设备

说明书

本申请提出了一种智能功率模块及控制设备，其中，智能功率模块包括：MCU、至少一个HVIC和至少一个晶体管组件，MCU与所有的HVIC连接，每个HVIC与对应的晶体管组件连接；其中，晶体管组件包括至少两个晶体管，其中，晶体管为MOSFET或IGBT；HVIC包括LDO和二极管，且每个HVIC的上桥臂和下桥臂分别与对应的晶体管组件中的其中一个晶体管连接；MCU用于对晶体管的连接方式进行控制。由此，本申请提出的IPM为将HVIC、晶体管组件和MCU进行封装的集成体，可选地，可以将LDO和二极管集成于HVIC内，无需在外部增设其他器件，节省了硬件成本。此外，通过提供包括至少两个晶体管的晶体管组件，使得能够扩宽可承受的电压范围，提高了本申请提出的IPM对应的电机的安全性和可靠性。

技术领域

本申请涉及自动控制技术领域，尤其涉及一种智能功率模块、电机及控制设备。

背景技术

目前，在电机控制市场中，人们对于电机控制的智能化程度以及高集成化程度的追求日渐提升，随之而来，对于智能功率模块的设计要求也越来越高。其中，IPM(Intelligent Power Module，智能功率模块)，是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。

然而，相关技术中，特别是针对较小功率等应用场景，尚未存在具有成本低廉、可靠性高以及开发难度低等优势的IPM。

由此，如何提出一种具有成本低廉、可靠性高以及开发难度低等优势的IPM，已经成为了亟需解决的问题。

发明内容

本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本申请的第一个目的在于提出一种智能功率模块，可以降低IPM的成本及开发难度，并提高IPM的可靠性。

本申请的第二个目的在于提出一种控制设备。

本申请的第三个目的在于提出一种芯片。

为达上述目的，本申请第一方面实施例提出了一种智能功率模块，包括：微控制单元MCU、至少一个高压集成电路HVIC和至少一个晶体管组件，所述MCU与所有的所述HVIC连接，每个所述HVIC与对应的所述晶体管组件连接；其中，所述晶体管组件包括至少两个晶体管，其中，所述晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET或绝缘栅双极型晶体管IGBT；所述HVIC包括低压差线性稳压器LDO和二极管，且每个所述HVIC的上桥臂和下桥臂分别与对应的所述晶体管组件中的其中一个所述晶体管连接；所述MCU用于对所述晶体管组件中的所述晶体管的连接方式进行控制。

根据本申请的一个实施例，所述MCU，还用于：获取电机的母线电压；根据所述母线电压，获取每个所述晶体管组件对应的目标晶体管，并对所述目标晶体管进行连接。

根据本申请的一个实施例，所述MCU，还用于：当所述母线电压小于母线电压阈值时，选取任一所述晶体管作为所述目标晶体管；或者，当所述母线电压大于或者等于所述母线电压阈值时，选取至少两个所述晶体管作为所述目标晶体管，并将所述目标晶体管串联连接。

根据本申请的一个实施例，所述MCU，还用于：获取传感器控制策略；根据所述传感器控制策略，连接所述电机与目标信号检测单元之间的检测通路。

根据本申请的一个实施例，所述MCU，还用于：当所述传感器控制策略为有传感器控制策略时，连接所述电机与反电势信号检测单元之间的检测通路，并对所述电机进行有传感器正弦波控制；或者，当所述传感器控制策略为无传感器控制策略时，断开所述电机与传感器之间的检测通路，并对所述电机进行无传感器方波控制或者无传感器正弦波控制。

根据本申请的一个实施例，还包括温度检测单元，用于：获取第一电流和第二电流；根据所述获取第一电流和所述第二电流，获取所述智能功率模块的温度。