[发明专利]一种基于Ce3+

权利要求书

1.一种基于Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点的电致发光器件，所述电致发光器件包括：底部电极以及依次设置所述底部电极上的空穴注入层、空穴传输层，发光层，电子传输层和顶部电极，其特征在于，所述发光层材料为Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点，所述掺杂浓度为2.2％-9.2％；聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)为空穴注入层；聚(9-乙烯咔唑)作为空穴传输层；Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点作为发光层；1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)作为电子传输层。

2.根据权利要求1所述的一种基于Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点的电致发光器件，其特征在于：所述Ce³⁺掺杂浓度为7.8％。

3.根据权利要求1所述的一种基于Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点的电致发光器件，其特征在于：所述Ce³⁺掺杂浓度为4.5％。

4.根据权利要求1所述的一种基于Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点的电致发光器件，其特征在于：ITO玻璃作为底部电极，LiF/Ag作为顶部电极。

5.一种基于Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点的电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S1：将十八烯，Ce(AcO)₃，Pb(AcO)₂，CsAcO，油酸和油胺在真空下加热搅拌直至溶液变得清晰；

步骤S2：将步骤S1获得的混合物升温至220～240℃，随后快速注入三甲基氯硅烷，10～15s后采用冰水浴将反应混合物冷却至室温；

步骤S3：将步骤S1获得的材料离心后的沉淀物中加入甲苯、乙酸乙酯、充分震荡混合后继续离心、所得沉淀分散在甲苯中，静置后所得上清液中为Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点；

步骤S4：先后用丙酮、乙醇、水依次超声清洗ITO导电玻璃；

步骤S5：将清洗过的ITO导电玻璃进行紫外臭氧处理；

步骤S6：将PEDOT:PSS溶液旋涂在ITO玻璃上，然后退火形成PEDOT:PSS薄膜；再将旋涂PEDOT:PSS薄膜的导电玻璃转移到N₂氛围中，将PVK旋涂在PEDOT:PSS薄膜上，然后退火形成PVK层；

步骤S7：将步骤S3中制备好的Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点旋涂在PVK层上作为发光层；

步骤S8：将步骤S7旋涂后导电玻璃转移到真空腔内，依次通过热蒸发沉积TPBi薄膜层、LiF和Ag，其中TPBi层作为电子传输层，LiF/Ag层作顶部电极。

6.根据权利要求5所述的一种基于Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点的电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤S1：所述在真空下加热搅拌具体为真空下120℃加热搅拌40～60min。

7.根据权利要求5所述的一种基于Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点的电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤3具体操作为：将上述所得材料10000r离心10min后，在所得沉淀中加入甲苯、乙酸乙酯、充分震荡混合后继续离心10min；所得沉淀分散在甲苯中，静置后所得上清液中为Ce³⁺掺杂CsPbCl₃量子点。