[发明专利]一种真空大功率低PIM射频连接器

说明书

本申请涉及连接器的技术领域，具体公开了一种真空大功率低PIM射频连接器，包括壳体，壳体内部中空；绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，位于壳体内且沿着壳体轴线依次设置；插孔，穿过绝缘子Ⅰ、散热片、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，两端用于与公头电气互联；连接件Ⅰ和连接件Ⅱ，设置于壳体的两端，用于将绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ固定在壳体内，且与公头配合连接；插孔的周向开设有环形的凹陷台阶，绝缘子Ⅱ卡设于凹陷台阶，绝缘子Ⅱ的两个端面开设有环槽，绝缘子Ⅰ和绝缘子Ⅲ抵接于绝缘子Ⅱ的端面与环槽相适配。提高了连接器在真空环境下耐高功率抑制放电的能力，同时抑制高电平无源互调效应的产生。

技术领域

本申请涉及连接器的技术领域，特别是一种真空大功率低PIM射频连接器。

背景技术

现有低PIM射频连接器，主要为三元合金传统绝缘支撑结构，连接器接触件采用了两瓣开槽结构，产品只可用于地面环境，功率耐受能力差，高功率下PIM抑制性能差，装配调试复杂，降低了整个产品的可靠性，不能满足空间环境等复杂情况下的使用要求。

发明内容

本发明的技术解决问题是：克服现有技术的不足，提供了一种真空高功率耐受性能的低PIM射频连接器，克服产品在高低温环境下工作时性能的不稳定性，提高在真空环境下耐高功率抑制放电的能力，同时抑制高电平无源互调效应的产生。

本发明的技术解决方案是：

一种真空大功率低PIM射频连接器，包括壳体；

绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，位于壳体内且沿着壳体轴线依次设置；

插孔，穿过绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ，两端用于与公头电器互联；

连接件Ⅰ和连接件Ⅱ，设置于壳体的两端，用于将绝缘子Ⅰ、绝缘子Ⅱ、绝缘子Ⅲ固定在壳体内，且与公头配合连接；

插孔的周向开设有环形的凹陷台阶，绝缘子Ⅱ卡设于凹陷台阶，绝缘子Ⅱ的两个端面开设有环槽，绝缘子Ⅰ和绝缘子Ⅲ抵接于绝缘子Ⅱ的端面与环槽相适配。

通过上述技术方案，绝缘子Ⅱ的剖面为两个“工”字形，这种结构分别与绝缘子Ⅰ及绝缘子Ⅲ配合时，有效增加了接触面积，既增加了大功率作业时连接器内外导体间的爬电距离，降低了真空大功率时的放电风险，又有利于大功率工作时抑制无源互调效应的产生。

具体的，所述插孔双端具有中心孔，中心孔为四瓣开槽弹性收口结构，待对接的公头低PIM射频连接器插针插入此中心孔中进行电气互联。

所述绝缘子Ⅱ开设有装配槽，装配槽沿着绝缘子Ⅱ的轴线方向贯穿绝缘子Ⅱ，装配槽从绝缘子Ⅱ的边缘贯穿绝缘子直径的四分之三至五分之四。

所述绝缘子Ⅱ与绝缘子Ⅱ的材质不同。

所述绝缘子Ⅰ和绝缘子Ⅲ的材料为聚四氟乙烯，绝缘子Ⅱ的材料为聚醚酰亚胺。

所述壳体内腔包括顺序布置的第一腔、第二腔、第五腔、第三腔和第四腔，第一腔、第二腔、第五腔的内径逐渐减小，第一腔和第四腔内径相等，第二腔和第三腔内径相等；第一腔、第二腔、第五腔、第三腔和第四腔的5个腔室中，相邻两个腔室之间依次形第一台阶、第二台阶、第三台阶及第四台阶；绝缘子Ⅱ的端面与第二台阶抵接；绝缘子Ⅰ位于绝缘子Ⅱ背离第二台阶的一端；绝缘子Ⅲ与第三台阶和绝缘子Ⅱ抵接。

所述壳体的外壁两端布置第一螺纹台阶以及第二螺纹台阶，用于与待对接的公头低PIM射频连接器配合连接。

所述环槽的外径小于第五腔的内径。

所述连接件Ⅰ为压套Ⅰ，连接件Ⅱ为压套Ⅱ，压套Ⅰ和压套Ⅱ的结构和尺寸相同，压套Ⅰ位于第一腔内且压套Ⅰ的端面抵接于第一台阶，压套Ⅰ与壳体过盈配合，压套Ⅱ位于第四腔内且压套Ⅱ的端面抵接于第四台阶，压套Ⅱ与壳体过盈配合。