[发明专利]一种真空大功率低PIM射频连接器

权利要求书

1.一种真空大功率低PIM射频连接器，其特征在于：包括壳体(1)，壳体(1)内部中空；

绝缘子Ⅰ(3)、绝缘子Ⅱ(5)、绝缘子Ⅲ(6)，位于壳体(1)内且沿着壳体(1)轴线依次设置；

插孔(7)，穿过绝缘子Ⅰ(3)、绝缘子Ⅱ(5)、绝缘子Ⅲ(6)，两端用于与公头电气互联；

连接件Ⅰ和连接件Ⅱ，设置于壳体(1)的两端，用于将绝缘子Ⅰ(3)、绝缘子Ⅱ(5)、绝缘子Ⅲ(6)固定在壳体(1)内，且与公头配合连接；

插孔(7)的周向开设有环形的凹陷台阶(72)，绝缘子Ⅱ(5)卡设于凹陷台阶(72)，绝缘子Ⅱ(5)的两个端面开设有环槽(51)，绝缘子Ⅰ(3)和绝缘子Ⅲ(6)抵接于绝缘子Ⅱ(5)的端面与环槽(51)相适配，绝缘子Ⅱ的剖面为“工”字形；

所述绝缘子Ⅱ(5)开设有装配槽(52)，装配槽(52)沿着绝缘子Ⅱ(5)的轴线方向贯穿绝缘子Ⅱ(5)，装配槽(52)从绝缘子Ⅱ(5)的边缘贯穿绝缘子直径的四分之三至五分之四；

所述绝缘子Ⅰ(3)和绝缘子Ⅲ(6)的材料为聚四氟乙烯，绝缘子Ⅱ(5)的材料为聚醚酰亚胺；

所述壳体(1)内腔包括顺序布置的第一腔(171)、第二腔(172)、第五腔、第三腔(173)和第四腔(174)，第一腔(171)、第二腔(172)、第五腔的内径逐渐减小，第一腔(171)和第四腔(174)内径相等，第二腔(172)和第三腔(173)内径相等；

第一腔(171)、第二腔(172)、第五腔、第三腔(173)和第四腔(174)的5个腔室中，相邻两个腔室之间依次形第一台阶(13)、第二台阶(14)、第三台阶(15)及第四台阶(16)；

绝缘子Ⅱ(5)的端面与第二台阶(14)抵接；

绝缘子Ⅰ(3)位于绝缘子Ⅱ(5)背离第二台阶(14)的一端；

绝缘子Ⅲ(6)与第三台阶(15)和绝缘子Ⅱ(5)抵接；

所述环槽(51)的外径小于第五腔的内径；

所述连接件Ⅰ为压套Ⅰ(2)，连接件Ⅱ为压套Ⅱ(8)，压套Ⅰ(2)位于第一腔(171)内且压套Ⅰ(2)的端面抵接于第一台阶(13)，压套Ⅰ(2)与壳体(1)过盈配合，压套Ⅱ(8)位于第四腔(174)内且压套Ⅱ(8)的端面抵接于第四台阶(16)，压套Ⅱ(8)与壳体(1)过盈配合；

所述压套Ⅰ(2)和压套Ⅱ(8)相对于壳体(1)的过盈尺寸量为0.01~0.02mm；

所述压套Ⅰ(2)、压套Ⅱ(8)进入壳体(1)内时，推动力矩为5.0N·cm~8.0N·cm；

所述壳体(1)外设置有散热片(4)，散热片(4)包括套筒(41)和多个鳍片(42)，套筒(41)通过导热胶粘接于壳体(1)外表面，鳍片(42)位于套筒(41)的外表面，相邻鳍片(42)之间的间距为3~8mm；所述套筒(41)的外表面从中间到两端，直径逐渐减小；

所述压套Ⅰ(2)、压套Ⅱ(8)及壳体(1)、散热片(4)的材料为无磁性铜合金，压套Ⅰ(2)、压套Ⅱ(8)及壳体(1)、散热片(4)采用非磁性涂覆工艺进行镀金得到镀金层，镀金层厚度为0.3~0.4mm。