[发明专利]带隙基准电压源

说明书

本发明提供带隙基准电压源，所述电压源包括：带隙基准主体电路和带隙基准启动瞬态增强电路，所述带隙基准启动瞬态增强电路包括电压复制模块、负反馈环路模块、逻辑翻转模块和开关电流源模块；所述电压复制模块用于根据所述带隙基准主体电路的第一输出端输出的镜像电流，得到带隙基准驱动电压；所述负反馈环路模块用于对所述带隙基准驱动电压进行稳压；所述开关电流源模块用于根据所述逻辑控制信号进行导通或截止，从而控制对所述带隙基准主体电路的第二输出端的充电状态；解决了现有技术中输出端的负载电容对带隙基准电压源开启速度产生影响的问题，实现对带隙基准电压源输出电压开启的瞬态增强，能够大幅降低输出电压达到稳定值的时间。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及带隙基准电压源。

背景技术

带隙基准电压源是现代电源管理、混合集成电路系统上的重要模块，它可以广泛的应用于模数与数模转换器、数据采集器等各种电子器件当中。其主要特点是能够输出与电源和工艺无关并具有一定温度特性的直流电压。

对于带隙基准电压源来说，可以通过多种电路结构对输出电压大小进行改变以满足所供电各模块不同电压大小的需求，由于需要向各模块进行供电，在输出端往往会有较大的负载电容产生，从而对带隙基准输出端的瞬态开启速度产生影响，因此如何减弱或消除该种影响成为提升带隙基准瞬态重要性能的关键。

发明内容

针对现有技术中所存在的不足，本发明提供的带隙基准电压源，其解决了现有技术中输出端的负载电容对带隙基准电压源开启速度产生影响的问题，实现对带隙基准电压源输出电压开启的瞬态增强，能够大幅降低输出电压达到稳定值的时间。

本发明提供一种带隙基准电压源，所述电压源包括：带隙基准主体电路和带隙基准启动瞬态增强电路，所述带隙基准启动瞬态增强电路包括电压复制模块、负反馈环路模块、逻辑翻转模块和开关电流源模块；所述带隙基准主体电路用于为后级负载提供基准电压；所述电压复制模块的输入端与带隙基准主体电路的第一输出端相连，用于根据所述带隙基准主体电路的第一输出端输出的镜像电流，得到带隙基准驱动电压；所述负反馈环路模块的输入端与所述电压复制模块的输出端相连，用于对所述带隙基准驱动电压进行稳压；所述逻辑翻转模块的第一输入端与所述负反馈环路模块的输出端相连，所述逻辑翻转模块的第二输入端与所述带隙基准主体电路的第二输出端相连，用于根据所述带隙基准主体电路的第二输出端输出的当前电压值，输出相对应的逻辑控制信号；所述开关电流源模块的输入端与所述逻辑翻转模块的输出端相连，所述开关电流源模块的输出端与所述带隙基准主体电路的第二输出端相连，用于根据所述逻辑控制信号进行导通或截止，从而控制对所述带隙基准主体电路的第二输出端的充电状态。

可选地，所述负反馈环路模块包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；所述第一NMOS管的栅极与所述电压复制模块的输出端相连，所述第一NMOS管的漏极与电源输出端相连，所述第一NMOS管的源极与所述第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地；所述第二NMOS管的栅极与所述第一电阻的第二端相连，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极相连；其中，所述第一NMOS管的源极为所述负反馈环路模块的输出端。

可选地，所述逻辑翻转模块包括：第一PMOS管和第三NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与所述带隙基准主体电路的第二输出端相连，所述第一PMOS管的源极与所述负反馈环路模块的输出端相连，所述第一PMOS管的漏极为所述逻辑翻转模块的输出端；所述第三NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极相连，所述第三NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的源极接地。

可选地，所述电压复制模块包括：第二PMOS管和第三电阻；所述第二PMOS管的栅极与所述带隙基准主体电路的第一输出端相连，所述第二PMOS管的源极与电源输出端相连，所述第二PMOS管的漏极与所述第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端接地。