[发明专利]带隙基准电压源

权利要求书

1.一种带隙基准电压源，其特征在于，所述电压源包括：

带隙基准主体电路和带隙基准启动瞬态增强电路，所述带隙基准启动瞬态增强电路包括电压复制模块、负反馈环路模块、逻辑翻转模块和开关电流源模块；

所述带隙基准主体电路用于为后级负载提供基准电压；

所述电压复制模块的输入端与带隙基准主体电路的第一输出端相连，用于根据所述带隙基准主体电路的第一输出端输出的镜像电流，得到带隙基准驱动电压；

所述负反馈环路模块的输入端与所述电压复制模块的输出端相连，用于对所述带隙基准驱动电压进行稳压；

所述逻辑翻转模块的第一输入端与所述负反馈环路模块的输出端相连，所述逻辑翻转模块的第二输入端与所述带隙基准主体电路的第二输出端相连，用于根据所述带隙基准主体电路的第二输出端输出的当前电压值，输出相对应的逻辑控制信号；

所述开关电流源模块的输入端与所述逻辑翻转模块的输出端相连，所述开关电流源模块的输出端与所述带隙基准主体电路的第二输出端相连，用于根据所述逻辑控制信号进行导通或截止，从而控制对所述带隙基准主体电路的第二输出端的充电状态。

2.如权利要求1所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述负反馈环路模块包括：

第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第二电阻；

所述第一NMOS管的栅极与所述电压复制模块的输出端相连，所述第一NMOS管的漏极与电源输出端相连，所述第一NMOS管的源极与所述第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地；

所述第二NMOS管的栅极与所述第一电阻的第二端相连，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极相连；

其中，所述第一NMOS管的源极为所述负反馈环路模块的输出端。

3.如权利要求1所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述逻辑翻转模块包括：

第一PMOS管和第三NMOS管；

所述第一PMOS管的栅极与所述带隙基准主体电路的第二输出端相连，所述第一PMOS管的源极与所述负反馈环路模块的输出端相连，所述第一PMOS管的漏极为所述逻辑翻转模块的输出端；

所述第三NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极相连，所述第三NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的源极接地。

4.如权利要求1所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述电压复制模块包括：

第二PMOS管和第三电阻；

所述第二PMOS管的栅极与所述带隙基准主体电路的第一输出端相连，所述第二PMOS管的源极与电源输出端相连，所述第二PMOS管的漏极与所述第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端接地。

5.如权利要求1-4任一项所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述开关电流源模块包括：

第四NMOS管和镜像电流源；所述第四NMOS管的栅极与所述逻辑翻转电路的输出端相连，所述第四NMOS管的漏极与所述镜像电流源的输出端相连，所述第四NMOS管的源极为所述开关电流源模块的输出端。

6.如权利要求5所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述镜像电流源包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和电流源；

所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极相连，所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极分别与电源输出端相连，所述第三PMOS管的漏极与所述第四NMOS管的漏极相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的栅极相连；

所述第五NMOS管的栅极与所述第六NMOS管的栅极相连，所述第五NMOS管的漏极与所述第四PMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极分别接地，所述第六NMOS管的漏极与所述第六NMOS管的栅极相连，所述第六NMOS管的漏极还与所述电流源的输出端相连，所述电流源的输入端与所述电源输出端相连。