[发明专利]一种功率器件超薄晶圆处理工艺在审
| 申请号： | 202210229207.0 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114843197A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 任留涛 | 申请（专利权）人： | 南通格普微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 浦蓉 |
| 地址： | 226600 江苏省南通市海安高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 超薄 处理 工艺 | ||
1.一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，在wafer的正面形成供导电金属生长的种子层；
S2，在所述种子层的表面涂覆光刻胶；
S3，通过光刻机显影，光蚀掉引线区域的光刻胶，同时保留非引线区域的光刻胶；
S4，在引线区域电镀出导电柱；
S5，腐蚀掉非引线区域的种子层；
S6，在非引线区域上通过绝缘保护层填充至与所述导电柱齐平；
S7，在绝缘保护层和所述导电柱的上方涂覆保护膜；
S8， 将所述wafer的背面减薄；
S9，去除保护膜；
S10，将wafer的背面金属化从而形成功率器件超薄晶圆。
2.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于：所述种子层可替换材料为Ag、Cu、Sn、Ni、Ti或Au的可焊层。
3.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于：所述种子层或所述可焊层是通过溅射、电子束蒸发或化镀方式产生。
4.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于：所述导电柱的厚度为3-500um。
5.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于：所述wafer减薄至厚度为10-100um。
6.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于：所述功率器件超薄晶圆的厚度为13-200um。
7.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于：所述导电柱的材料为Cu，所述导电柱的外表面涂覆材料为Sn、Ag、Au、Cu或Ni的金属层。
8.根据权利要求1所述的一种功率器件超薄晶圆处理工艺，其特征在于：所述绝缘保护层的材质为聚酰亚胺或阻焊绿油。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
