[发明专利]体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置

权利要求书

1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：

空腔；

第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔上方或位于所述空腔内；

压电层，所述压电层包括第一侧及所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述空腔位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一侧，所述第一电极层接触所述压电层；

第二电极层，位于所述第二侧，接触所述压电层，所述第一电极层、所述第二电极层及所述压电层重合的区域为谐振区；

第一无源结构，位于所述第一侧，与所述第一电极层的至少一个边缘具有第一重合部；

第二无源结构，位于所述第二侧，与所述第二电极层的至少一个边缘具有第二重合部；

其中，所述第一无源结构包括：

第一抬起部，位于所述谐振区内侧，与所述第一电极层的至少一个边缘具有所述第一重合部，所述第一抬起部用于匹配所述谐振区与所述谐振区外侧的至少一个衰减区的声阻抗，使较多的所述谐振区内产生的声波进入至少一个所述衰减区；

第一电介质部，位于所述第一抬起部与所述第一电极层之间，用于电隔离所述第一电极层与所述第一无源结构；

第一延伸部，位于所述谐振区外侧，位于至少一个所述衰减区内，用于衰减进入至少一个所述衰减区的声波，所述第一抬起部相对所述第一延伸部凸起；

所述第二无源结构包括：

第二抬起部，位于所述谐振区内侧，与所述第二电极层的至少一个边缘具有所述第二重合部，所述第二抬起部用于匹配所述谐振区与至少一个所述衰减区的声阻抗，使较多的所述谐振区内产生的声波进入至少一个所述衰减区；

第二电介质部，位于所述第二抬起部与所述第二电极层之间，用于电隔离所述第二电极层与所述第二无源结构；

第二延伸部，位于所述谐振区外侧，位于至少一个所述衰减区内，用于衰减进入至少一个所述衰减区的声波，所述第二抬起部相对所述第二延伸部凸起。

2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一无源结构和所述第二无源结构包围所述谐振区。

3.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一无源结构的厚度等于或小于所述第一电极层的厚度，所述第二无源结构的厚度等于或小于所述第二电极层的厚度。

4.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述衰减区包括第一衰减区，所述第一衰减区的第一截止频率等于或小于所述谐振区的截止频率，所述第一衰减区对应所述第一延伸部、所述压电层与所述第二延伸部的重合区域。

5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：第一电极延伸层，位于所述第一侧，与所述第一电极层连接；第二电极延伸层，位于所述第二侧，与所述第二电极层连接。

6.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述衰减区包括第二衰减区，所述第二衰减区的第二截止频率等于或小于所述谐振区的截止频率，所述第二衰减区对应所述第二电极延伸层、所述压电层与所述第一延伸部的重合区域。

7.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述衰减区包括第三衰减区，所述第三衰减区的第三截止频率等于或小于所述谐振区的截止频率，所述第三衰减区对应所述第二延伸部、所述压电层与所述第一电极延伸层的重合区域。

8.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层的至少一个边缘呈下坡形，对应所述第一无源结构，所述第二电极层的至少一个边缘呈下坡形，对应所述第二无源结构。

9.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一抬起部的宽度为所述谐振区内产生的声波的二分之一波长的整数倍，所述第二抬起部的宽度为所述谐振区内产生的声波的二分之一波长的整数倍。

10.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一延伸部的厚度小于所述第一电极层的厚度，所述第二延伸部的厚度小于所述第二电极层的厚度。