[发明专利]声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器

权利要求书

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

复合压电衬底，该复合压电衬底具有SiC基底层和形成在所述SiC基底层之上的ZnO压电层，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；以及

形成在所述ZnO压电层上的叉指电极。

2.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，

形成所述ZnO压电层的所述单晶ZnO的(0002)衍射峰的半高宽在250弧秒以内。

3.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，

所述SiC基底层与所述ZnO压电层通过通过在键合后减薄所述ZnO压电层至规定厚度,形成所述复合压电衬底。

4.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，

所述ZnO压电层通过PVD、MOCVD、MBE、ALD中的任一种方式形成在所述SiC基底层上。

5.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，

所述ZnO压电层的厚度在20λ以内，λ是所述叉指电极激发的声表面波波长。

6.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，

所述叉指电极由Ti、Al、Cu、Au、Pt、Ag、Pd中的任一种金属、或它们的合金、或它们的层叠体构成。

7.如权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，

还包括形成于所述叉指电极表面的保护层。

8.如权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，

所述保护层由SiO₂、Si₃N₄、SiFO、SiOC中的任一种形成。

9.一种用于制造声表面波谐振器的方法，其特征在于，包括：

准备SiC基底层；

在所述SiC基底层之上形成ZnO压电层从而得到复合压电衬底，该ZnO压电层由c轴择优取向的单晶ZnO形成；

在所述ZnO压电层上形成叉指电极。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述SiC基底层与所述ZnO压电层通过键合方式形成所述复合压电衬底，在所述键合后减薄所述ZnO氧化层至规定厚度。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述减薄通过半导体减薄工艺和化学机械抛光工艺来进行。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述ZnO压电层通过PVD、MOCVD、MBE、ALD中的任一种方式形成在所述SiC基底层上。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，

形成所述ZnO压电层的所述单晶ZnO的(0002)衍射峰的半高宽在250弧秒以内。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，

所述ZnO压电层的厚度在20λ以内，λ是所述叉指电极激发的声表面波波长。

15.一种声表面波滤波器，其特征在于，

包括至少一个如权利要求1至9中任一项所述的声表面波谐振器。

16.如权利要求15所述的声表面波滤波器，其特征在于，

所述声表面波滤波器是Normal-SAW(传统声表面波)滤波器、TC-SAW(温度补偿声表面波)滤波器、IHP-SAW(超级高性能声表面波)滤波器中的任一种。