[发明专利]一种超宽带噪声抵消低噪声放大器

说明书

本发明公开一种超宽带噪声抵消低噪声放大器，包括晶体管M₁、晶体管M₂，电感L_g、电感L₂、电感L₃、电阻R_f、电容C_in；输入端通过输入端电容C_in后连接电感L_g一端，再与晶体管M₁和晶体管M₂的栅极相连，同时在输入端电容C_in后接电阻R_f，电阻R_f的另一端接到输出端；晶体管M₁源极接电感L₂后接地，晶体管M₂源极接电感L₃后接V_DD；晶体管M₁和晶体管M₂的漏极相连后接电感L_g另一端。本发明最低频率可达到0Hz，可将输入匹配带宽扩展到直流到60GHz，扩展了可用带宽；加入反馈电阻，使电路增益平坦度改善，扩展了增益可用带宽；使用多个噪声抵消技术，优化电路噪声性能，大大优化了高频处电路噪声。

技术领域

本发明涉及低噪声放大器技术领域，特别是涉及一种超宽带噪声抵消低噪声放大器。

背景技术

毫米波通信系统现已广泛应用于各个行业，毫米波宽带器件的应用也越来越广泛，低噪声放大器作为宽带接收系统的第一级，对接收系统的整体性能起着重要的作用，尤其决定了整个系统的抗噪性能，因此低噪声放大器需要具有输入信号功率较小、噪声低，线性度高的特点。

随着对数据传输速率的提高，传统的窄带技术已经不能完全满足要求，宽带低噪声放大器成为研究热点。对于带宽较宽的放大器来说，为了实现宽带的匹配，往往需要引入无源器件进行宽带匹配，随之而来也会引入噪声，这就导致宽带低噪声放大器的性能不如窄带低噪声放大器。

如何在宽带匹配的情况下降低噪声，就需要引入噪声抵消技术。对于低频频段来说，降低噪声的方法比较多，但由于高频频段晶体管的寄生电容等的影响，很多方法并不适用于高频频段。

在设计电路时，首先考虑电路本身的噪声，一般内部噪声源可以分为热噪声、散粒噪声和闪烁噪声三种，其中热噪声是毫米波电路的主要噪声源，所以毫米波低噪放的低噪声设计重点就是如何降低晶体管产生的热噪声。

对于宽带低噪声放大器来说，为了在较宽的带宽内实现最好的噪声性能，低噪放在输入输出匹配时会优先进行最小噪声匹配，从而在输入输出驻波性能和增益上需要一定的折中，那么如何能够在直流到30GHz的带宽内，保证增益可用的同时，降低噪声性能，就成为了宽带低噪放的主要研究内容。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中存在的技术缺陷，而提供一种超宽带噪声抵消低噪声放大器，具有超宽带的噪声抵消结构，可实现在直流到30GHz的带宽内，保证增益可用的前提下，降低电路的噪声，使得在可用带宽内的噪声性能良好。

为实现本发明的目的所采用的技术方案是：